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mametozx

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[求助] XPS光电子能谱分析之———溅射速度问题已有1人参与

大家好，请教一下问题。如题。
由于想去材料SiC表面以下的深度方向的分析，想看看表面下1um深度内的化学成分变化。各位是如何求得溅射SiC的去除率的？
各位用什么仪器？有什么建议？
谢谢。

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1楼2014-04-02 09:01:17

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gxytju2008

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引用回帖:

3楼: Originally posted by mametozx at 2014-04-03 10:28:25
既然别的物质不很准，那其他物质深度分析时，如果知道物质所在具体深度呢？另，您说先镀一个膜后做SEM断面观察校准，，，不太理解，。
意思是把这个膜溅射掉，利用厚度与时间来算溅射速率？但在密闭的溅射环境中 ...

。。。溅射很长时间以后拿出来做SEM，时间是确定的，厚度可以测出来，准确的话只能这样了，一般情况只定性的话也不需要太准的溅射深度