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求助，静电势取值处理 已有2人参与
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文献上说求平均静电势的时候the average electrostatic potentials of the atoms far away from the defect in the defective supercell are aligned with those of the corresponding atoms in the perfect supercell.且在求delt V的时候计算缺陷晶胞中离缺陷位置较远的一个区域内的平均静电势与无缺陷的超胞的平均静电势之差。而“离缺陷位置较远的一个区域内的平均静电势”可以对离缺陷最远的那个原胞求平均。 应该用VASP怎么计算分析处理静电势呢？ 目前我知道的是在计算的时候在静态计算那一步打开 LVTOT = .TRUE.输出有LOCPOT。还有OUTCAR里有输出项 average (electrostatic) potential at core 请亲们给予帮助 |
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