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新虫 (初入文坛)

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[求助] 求助，静电势取值处理已有2人参与

文献上说求平均静电势的时候the average electrostatic potentials of the atoms far away from the defect in the defective supercell are aligned with those of the corresponding atoms in the perfect supercell.且在求delt V的时候计算缺陷晶胞中离缺陷位置较远的一个区域内的平均静电势与无缺陷的超胞的平均静电势之差。而“离缺陷位置较远的一个区域内的平均静电势”可以对离缺陷最远的那个原胞求平均。
应该用VASP怎么计算分析处理静电势呢？
目前我知道的是在计算的时候在静态计算那一步打开 LVTOT = .TRUE.输出有LOCPOT。还有OUTCAR里有输出项 average (electrostatic) potential at core

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1楼 2014-04-01 16:11:34

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Feynmanux

至尊木虫 (文坛精英)

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专业: 凝聚态物性 II ：电子结构

引用回帖:

4楼: Originally posted by stractor at 2014-11-07 22:24:15
根据LOCPOT，得出静电势在一个平面的平均值（需根据晶体结构选择平面），找离缺陷较远位置处的一个平面的平均静电势与该位置体材料的平均静电势之差。

您好：您这句话，我翻译成具体操作如下，你看对否，请指教。

我拿ZnO monolayer （Zn空位）做例子。

1，首先计算一个661（72原子）中心Zn空位 ZnO单层，带LVTOT优化，自洽，找到远离空位区域的几个Zn原子，O原子的势，做平均。

2，然后计算一个完美661（72原子），再次找到步骤1中那几个原子的势做平均。

3，最后，将步骤1 和步骤2 的两个平均值做差，这个结果是否就是ΔV？

万分感谢！！