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新虫 (初入文坛)

[求助] 求助,静电势取值处理 已有2人参与

文献上说求平均静电势的时候the average electrostatic potentials of the atoms far away from the defect in the defective supercell are aligned with those of the corresponding atoms in the perfect supercell.且在求delt V的时候计算缺陷晶胞中离缺陷位置较远的一个区域内的平均静电势与无缺陷的超胞的平均静电势之差。而“离缺陷位置较远的一个区域内的平均静电势”可以对离缺陷最远的那个原胞求平均。
应该用VASP怎么计算分析处理静电势呢?
目前我知道的是在计算的时候在静态计算那一步打开 LVTOT = .TRUE.输出有LOCPOT。还有OUTCAR里有输出项 average (electrostatic) potential at core

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happinesslyl

新虫 (小有名气)

5楼2016-08-11 22:46:58
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tianyakl4

新虫 (小有名气)

同样的问题求助,楼主解决了吗?
2楼2014-11-06 14:13:54
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jpchou

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖


liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2014-11-09 18:58:58
OUTCAR 沒有這個輸出項
得到 LOCPOT 後~裡面就是 electrostatic potential
必須要自行找到離缺陷最遠的區域
然後自行手動去做 average
3楼2014-11-07 18:54:47
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stractor

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖


liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2014-11-09 18:59:06
根据LOCPOT,得出静电势在一个平面的平均值(需根据晶体结构选择平面),找离缺陷较远位置处的一个平面的平均静电势与该位置体材料的平均静电势之差。
4楼2014-11-07 22:24:15
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