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zhoubebe

银虫 (小有名气)

[求助] 请问测SiC单晶的XPS,为什么能侧到O1s的532峰?为什么抽完真空后SiC还能测到如此多O? 已有2人参与

请教:
请问测SiC单晶的XPS,为什么能侧到O1s的532峰?
为什么抽完真空做XPS后,测SiC还能测到如此多O?如下图。
这里O是什么氧?从哪来的?

请问测SiC单晶的XPS,为什么能侧到O1s的532峰?为什么抽完真空后SiC还能测到如此多O?
XPS-O1s.png
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罗塔尔

银虫 (初入文坛)

汗!
首先气体没法xps测到
其次 基本所有材料都有氧化的表面,不足为奇,关键是和si c比的比例是多少
2楼2014-03-27 04:39:23
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zhoubebe

银虫 (小有名气)

谢谢您的帮助!
请教:
如果我刻蚀几分钟,已经测到SiC单晶里面,但仍有较高含量的O1s峰,那是为什么呢?
SiC单晶是一种非常稳定的物质,难以氧化。
3楼2014-03-27 08:41:46
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pandafj524

木虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
zhoubebe: 金币+2, ★★★很有帮助 2014-04-21 09:45:27
zhoubebe: 金币+1, ★有帮助 2014-04-21 09:45:55
zhoubebe: 金币+2, ★★★很有帮助 2014-04-21 09:46:04
首先样品表面吸附的氧很难通过抽真空去除
另,你用Ar枪刻蚀了几分钟?不行的话再加长点时间试试
4楼2014-03-27 19:59:54
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zhoubebe

银虫 (小有名气)

谢谢楼上的帮助!
您的意思是,抽真空难以保证  表面吸附的氧被去除?
约532ev对应的SiO2的O峰,还是吸附O的?
看来用XPS测量氧O,是难以分析评价的?
5楼2014-03-28 10:36:12
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gxytju2008

专家顾问 (文坛精英)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
zhoubebe: 金币+5, ★★★很有帮助 2014-04-21 09:44:04
O基本不用来分析,etching的话至少得打掉表面10nm以上的厚度才能让O降下来点,除非使用真空转移或者原为合成,可以认为O是真实的存在
6楼2014-03-28 20:39:42
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zhoubebe

银虫 (小有名气)

谢谢楼上的帮助!
您的意思是:测到的O峰只是表面吸附O的峰,并不是SiO2的O峰?
7楼2014-03-31 10:54:55
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zhoubebe

银虫 (小有名气)

或者说O峰中包含大量吸附O的峰,所以,难以推算吸附O的量,所以难以用来整体评价?
8楼2014-03-31 10:56:57
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gxytju2008

专家顾问 (文坛精英)

引用回帖:
8楼: Originally posted by zhoubebe at 2014-03-31 10:56:57
或者说O峰中包含大量吸附O的峰,所以,难以推算吸附O的量,所以难以用来整体评价?

嗯,无法确定O的来源
9楼2014-04-01 12:38:11
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zhoubebe

银虫 (小有名气)

谢谢楼上的答复!
但是,很多论文还讨论O的分峰来分析各O成分.
10楼2014-04-01 14:21:09
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