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zhoubebe

银虫 (小有名气)

[求助] 请问测SiC单晶的XPS,为什么能侧到O1s的532峰?为什么抽完真空后SiC还能测到如此多O? 已有2人参与

请教:
请问测SiC单晶的XPS,为什么能侧到O1s的532峰?
为什么抽完真空做XPS后,测SiC还能测到如此多O?如下图。
这里O是什么氧?从哪来的?

请问测SiC单晶的XPS,为什么能侧到O1s的532峰?为什么抽完真空后SiC还能测到如此多O?
XPS-O1s.png
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pandafj524

木虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
zhoubebe: 金币+2, ★★★很有帮助 2014-04-21 09:45:27
zhoubebe: 金币+1, 有帮助 2014-04-21 09:45:55
zhoubebe: 金币+2, ★★★很有帮助 2014-04-21 09:46:04
首先样品表面吸附的氧很难通过抽真空去除
另,你用Ar枪刻蚀了几分钟?不行的话再加长点时间试试
4楼2014-03-27 19:59:54
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罗塔尔

银虫 (初入文坛)

汗!
首先气体没法xps测到
其次 基本所有材料都有氧化的表面,不足为奇,关键是和si c比的比例是多少
2楼2014-03-27 04:39:23
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zhoubebe

银虫 (小有名气)

谢谢您的帮助!
请教:
如果我刻蚀几分钟,已经测到SiC单晶里面,但仍有较高含量的O1s峰,那是为什么呢?
SiC单晶是一种非常稳定的物质,难以氧化。
3楼2014-03-27 08:41:46
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zhoubebe

银虫 (小有名气)

谢谢楼上的帮助!
您的意思是,抽真空难以保证  表面吸附的氧被去除?
约532ev对应的SiO2的O峰,还是吸附O的?
看来用XPS测量氧O,是难以分析评价的?
5楼2014-03-28 10:36:12
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