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请问测SiC单晶的XPS,为什么能侧到O1s的532峰?为什么抽完真空后SiC还能测到如此多O?
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zhoubebe
银虫
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专业: 碳素材料与超硬材料
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请问测SiC单晶的XPS,为什么能侧到O1s的532峰?为什么抽完真空后SiC还能测到如此多O?
已有2人参与
请教:
请问测SiC单晶的XPS,为什么能侧到O1s的532峰?
为什么抽完真空做XPS后,测SiC还能测到如此多O?如下图。
这里O是什么氧?从哪来的?
XPS-O1s.png
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1楼
2014-03-26 17:54:06
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gxytju2008
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性别: GG
专业: 材料物理化学
管辖:
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【答案】应助回帖
★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
zhoubebe: 金币+5,
★★★
很有帮助
2014-04-21 09:44:04
O基本不用来分析,etching的话至少得打掉表面10nm以上的厚度才能让O降下来点,除非使用真空转移或者原为合成,可以认为O是真实的存在
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6楼
2014-03-28 20:39:42
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罗塔尔
银虫
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虫号: 1850526
注册: 2012-06-07
专业: 碳素材料与超硬材料
汗!
首先气体没法xps测到
其次 基本所有材料都有氧化的表面,不足为奇,关键是和si c比的比例是多少
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2楼
2014-03-27 04:39:23
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zhoubebe
银虫
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在线: 123.4小时
虫号: 605569
注册: 2008-09-18
专业: 碳素材料与超硬材料
谢谢您的帮助!
请教:
如果我刻蚀几分钟,已经测到SiC单晶里面,但仍有较高含量的O1s峰,那是为什么呢?
SiC单晶是一种非常稳定的物质,难以氧化。
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3楼
2014-03-27 08:41:46
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pandafj524
木虫
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帖子: 24
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虫号: 797582
注册: 2009-06-23
专业: 高分子
【答案】应助回帖
★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
zhoubebe: 金币+2,
★★★
很有帮助
2014-04-21 09:45:27
zhoubebe: 金币+1,
★
有帮助
2014-04-21 09:45:55
zhoubebe: 金币+2,
★★★
很有帮助
2014-04-21 09:46:04
首先样品表面吸附的氧很难通过抽真空去除
另,你用Ar枪刻蚀了几分钟?不行的话再加长点时间试试
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4楼
2014-03-27 19:59:54
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