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zhoubebe银虫 (小有名气)
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[求助]
请问测SiC单晶的XPS，为什么能侧到O1s的532峰？为什么抽完真空后SiC还能测到如此多O? 已有2人参与
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请教： 请问测SiC单晶的XPS，为什么能侧到O1s的532峰？ 为什么抽完真空做XPS后,测SiC还能测到如此多O?如下图。 这里O是什么氧？从哪来的？  XPS-O1s.png |
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gxytju2008
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zhoubebe
银虫 (小有名气)
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3楼2014-03-27 08:41:46
4楼2014-03-27 19:59:54