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wye616

金虫 (初入文坛)

[求助] 关于薄膜样的XRD测试 已有2人参与

硅片上沉积了Au,在沉积了想要测试的薄膜样品,保守估计有50nm+的厚度,100应该也可以达到
先做了最基本的XRD测试,发现Si和Au的信号特别强,但是又跟标准卡片的角度有点偏差(不排除再沉积的样品与Au相互作用?),有个样品Si强度有760000……
所以就想求教下各位:
是再做裸Si 或者镀过Au的Si后的XRD,扣减下谱峰强度对照角度比较现实?
还是做个掠入射XRD好呢?
另外,关于掠入射XRD测试厚度是多少呢?
非常感谢各位!
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wye616

金虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by nwnu at 2014-03-24 12:20:54
扫面时间加长试试

扫面时间?
是只扫描每个step多长时间么?
这个样我是选了0.05sec/step,20到90度内扫的啊
3楼2014-03-24 20:54:06
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nwnu

木虫 (正式写手)

MS

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
扫面时间加长试试
手拉手,不放手
2楼2014-03-24 12:20:54
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longseaker

捐助贵宾 (小有名气)


【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
扫描时间太短,我一般0.1或0.2.此外也可减小步长。关于偏移,如果si,au 都偏,有可能是操作问题,如没对好焦。如只有au 偏,有可能是应力导致晶格变形,

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
4楼2014-03-24 22:49:30
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nwnu

木虫 (正式写手)

MS

引用回帖:
3楼: Originally posted by wye616 at 2014-03-24 20:54:06
扫面时间?
是只扫描每个step多长时间么?
这个样我是选了0.05sec/step,20到90度内扫的啊...

扫描2小时试试
手拉手,不放手
5楼2014-03-25 12:42:05
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