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wye616金虫 (初入文坛)
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关于薄膜样的XRD测试已有2人参与
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硅片上沉积了Au,在沉积了想要测试的薄膜样品，保守估计有50nm+的厚度，100应该也可以达到 先做了最基本的XRD测试，发现Si和Au的信号特别强，但是又跟标准卡片的角度有点偏差（不排除再沉积的样品与Au相互作用？），有个样品Si强度有760000…… 所以就想求教下各位： 是再做裸Si 或者镀过Au的Si后的XRD，扣减下谱峰强度对照角度比较现实？ 还是做个掠入射XRD好呢？ 另外，关于掠入射XRD测试厚度是多少呢？ 非常感谢各位！ |
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