24小时热门版块排行榜

>论坛更新日志 (4497)
>文献求助 (337)
>虫友互识 (261)
>基金申请 (252)
>导师招生 (202)
>硕博家园 (163)
>休闲灌水 (143)
>论文投稿 (135)
>考博 (100)
>论文道贺祈福 (97)
>教师之家 (97)
>考研 (85)
>博后之家 (76)
>找工作 (54)
>公派出国 (53)
>绿色求助(高悬赏) (40)

返回列表

xz275149045

铁虫 (正式写手)

应助: 3 (幼儿园)
金币: 967.2
帖子: 430
在线: 98.7小时
虫号: 1092363

[交流] 关于Si/硅的掺杂对其能带位置影响

本人才开始接触光催化方面的研究，最近对各种半导体的能带
分布很不明白，在网上寻找也比较少。
我觉得在论坛直接问别人Si的能带位置导带位置的行为很懒惰。
所以希望有人能推荐一些关于p-Si和n-Si不同掺杂浓度对其能带
影响的文献，我会认真阅读学习，而不是被动接收。
另外请问知道p-Si的电阻率如何反推其掺杂浓度。

回复此楼