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knightxx

银虫 (初入文坛)

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虫号: 2927832

[交流] 这片science里面的插图，很令人费解，大家来讨论下

Fig. 1. Schematic of Ni/n-Si photoanode. (A) Structure of 2-nm Ni-coated n-Si anode (top) and proposed approximate energy band diagram (bottom). The ultrathin Ni/NiOx and the electrolyte form an effective layer interfacing with Si, affording a high built-in potential fs and photovoltage. (B) Structure of 5- to 20-nm Ni-coated n-Si anode (top) and a typical Ni/n-Si Schottky barrier formed between 5- to 20-nm Ni and n-Si, with built-in potential fs and photovoltage lower than the 2-nm Ni/n-Si case in (A).

这个Ni层变厚了，费米能级为什么变高了，作者也没有给出证据和解释。

文章中说内建电场可以使onset potential提前，但是肖特基能垒又使之后移，有没有互相矛盾。

原文链接：
http://www.sciencemag.org/content/342/6160/836.full[ Last edited by knightxx on 2014-2-22 at 16:20 ]

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附件 1 : Kenney-2013-High-Performance_Silicon_Photoanod.pdf

2014-02-22 16:14:48, 1.16 M