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这片science里面的插图，很令人费解，大家来讨论下
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 Fig. 1. Schematic of Ni/n-Si photoanode. (A) Structure of 2-nm Ni-coated n-Si anode (top) and proposed approximate energy band diagram (bottom). The ultrathin Ni/NiOx and the electrolyte form an effective layer interfacing with Si, affording a high built-in potential fs and photovoltage. (B) Structure of 5- to 20-nm Ni-coated n-Si anode (top) and a typical Ni/n-Si Schottky barrier formed between 5- to 20-nm Ni and n-Si, with built-in potential fs and photovoltage lower than the 2-nm Ni/n-Si case in (A). 这个Ni层变厚了，费米能级为什么变高了，作者也没有给出证据和解释。 文章中说内建电场可以使onset potential提前，但是肖特基能垒又使之后移，有没有互相矛盾。 原文链接： http://www.sciencemag.org/content/342/6160/836.full[ Last edited by knightxx on 2014-2-22 at 16:20 ] |
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本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : Kenney-2013-High-Performance_Silicon_Photoanod.pdf
2014-02-22 16:14:48, 1.16 M
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