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fengyameihua银虫 (小有名气)
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[求助]
mott-schottky 测试与分析求助
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本人小硕一枚，在做实验的过程中发现了自己有什么东西不懂，特来请教一下大家！ 我在很多文献中看到用mott-schottky曲线可以测试半导体类型和载流子浓度，所以我也用这种方法想得到载流子浓度。 我的测试条件如下： init E（V） -0.4； Final 0.4V； incr 0.001； Amplitude 0.01； 所设置的频率为1000HZ，从CHI650D上得到的图见图1。 在转换为txt格式以后，我用公式Cs=(-1)/(2*3.1415926*Z''*phase)得到Cs后计算出1/Cs2，与potential 作图之后得到如下所示图2。 对比后发现两张图的1/Cs2的单位不一样，我计算后的数据明显小于从CHI里得到的图，不知道这是什么原因呢？在小木虫里看了好久，没发现有相关的解答，只能通过发帖来请教一下 这方面的专家啦，不甚感激！ 谢谢啦！  图1：CHI650D上得到的M-S曲线  图2：自己通过计算得到的Origin M-S图 |
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 Mott–Schottky | 杂谈略论 | 电池 | 科研 |
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【答案】应助回帖
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半导体光电化学书上只讲原理，不讲测试问题。实际上，你现在都测过了，也发现问题纠正了，大体上也就知道M-S的测试计算了。要用测试的数据分析你的问题，就需要看一些相关文章，看他们如何分析的了，你真要看半导体空间电荷相关的内容，估计你会头大的。因此，对你来说，以看文献为主，下面给你三篇，主要看M-S部分就行了。 1. Mott-Schottky Analysis of Nanoporous Semiconductor http://www.elp.uji.es/paperspdf/2003%20JES%20MSTiO2.pdf 2. Passivity of AISI 321 stainless steel in 0.5 M H2SO4 solution studied by Mott–Schottky analysis in conjunction with the point defect model http://www.sciencedirect.com/sci ... i/S1878535212000433 3. Passivity Breakdown of Titanium in LiBr Solutions http://jes.ecsdl.org/content/161/1/C25.abstract |
7楼2013-11-20 19:03:24
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【答案】应助回帖
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这两篇文章可以帮助你理解M-S的原理。 1. Electrochemistry of Semiconductors http://www.currentseparations.com/issues/17-3/cs-17-3d.pdf 2. Foundamentals of semiconductor electrochem and photoelectrochem http://www.wiley-vch.de/bard/eoe/pdf/v06_1.pdf |
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fengyameihua8楼2013-11-20 19:28:39
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