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fengyameihua

银虫 (小有名气)

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[求助] mott-schottky 测试与分析求助

本人小硕一枚，在做实验的过程中发现了自己有什么东西不懂，特来请教一下大家！
我在很多文献中看到用mott-schottky曲线可以测试半导体类型和载流子浓度，所以我也用这种方法想得到载流子浓度。
我的测试条件如下：
init E（V） -0.4；
Final       0.4V；
incr       0.001；
Amplitude  0.01；
所设置的频率为1000HZ，从CHI650D上得到的图见图1。
在转换为txt格式以后，我用公式Cs=(-1)/(2*3.1415926*Z''*phase)得到Cs后计算出1/Cs2，与potential 作图之后得到如下所示图2。
对比后发现两张图的1/Cs2的单位不一样，我计算后的数据明显小于从CHI里得到的图，不知道这是什么原因呢？在小木虫里看了好久，没发现有相关的解答，只能通过发帖来请教一下这方面的专家啦，不甚感激！
谢谢啦！

图1：CHI650D上得到的M-S曲线

图2：自己通过计算得到的Origin M-S图

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1楼 2013-11-15 11:28:32

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Jackcd12

至尊木虫 (知名作家)

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专业: 电化学

【答案】应助回帖

引用回帖:

6楼: Originally posted by fengyameihua at 2013-11-20 17:29:22
明白啦，最后我用所设置的频率替换了（phase）项，所得到的的曲线和电化学工作站上显示的基本一样啦。是不是应该这样计算呢？
可是我这边没有相关的书籍，您可以推荐几本吗？初次接触这方面的测试遇到了很多问题， ...

半导体光电化学书上只讲原理，不讲测试问题。实际上，你现在都测过了，也发现问题纠正了，大体上也就知道M-S的测试计算了。要用测试的数据分析你的问题，就需要看一些相关文章，看他们如何分析的了，你真要看半导体空间电荷相关的内容，估计你会头大的。因此，对你来说，以看文献为主，下面给你三篇，主要看M-S部分就行了。
1. Mott-Schottky Analysis of Nanoporous Semiconductor
http://www.elp.uji.es/paperspdf/2003%20JES%20MSTiO2.pdf
2. Passivity of AISI 321 stainless steel in 0.5 M H2SO4 solution studied by Mott–Schottky analysis in conjunction with the point defect model
http://www.sciencedirect.com/sci ... i/S1878535212000433
3. Passivity Breakdown of Titanium in LiBr Solutions
http://jes.ecsdl.org/content/161/1/C25.abstract