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fengyameihua

银虫 (小有名气)

[求助] mott-schottky 测试与分析求助

本人小硕一枚,在做实验的过程中发现了自己有什么东西不懂,特来请教一下大家!
我在很多文献中看到用mott-schottky曲线可以测试半导体类型和载流子浓度,所以我也用这种方法想得到载流子浓度。
我的测试条件如下:
init E(V) -0.4;
Final          0.4V;
incr          0.001;
Amplitude  0.01;
所设置的频率为1000HZ,从CHI650D上得到的图见图1。
在转换为txt格式以后,我用公式Cs=(-1)/(2*3.1415926*Z''*phase)得到Cs后计算出1/Cs2,与potential 作图之后得到如下所示图2。
对比后发现两张图的1/Cs2的单位不一样,我计算后的数据明显小于从CHI里得到的图,不知道这是什么原因呢?在小木虫里看了好久,没发现有相关的解答,只能通过发帖来请教一下 这方面的专家啦,不甚感激!
谢谢啦!
mott-schottky 测试与分析求助
图1:CHI650D上得到的M-S曲线


mott-schottky 测试与分析求助-1
图2:自己通过计算得到的Origin M-S图
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Jackcd12

至尊木虫 (知名作家)

【答案】应助回帖

引用回帖:
6楼: Originally posted by fengyameihua at 2013-11-20 17:29:22
明白啦,最后我用所设置的频率替换了(phase)项,所得到的的曲线和电化学工作站上显示的基本一样啦。是不是应该这样计算呢?
可是我这边没有相关的书籍,您可以推荐几本吗?初次接触这方面的测试遇到了很多问题, ...

半导体光电化学书上只讲原理,不讲测试问题。实际上,你现在都测过了,也发现问题纠正了,大体上也就知道M-S的测试计算了。要用测试的数据分析你的问题,就需要看一些相关文章,看他们如何分析的了,你真要看半导体空间电荷相关的内容,估计你会头大的。因此,对你来说,以看文献为主,下面给你三篇,主要看M-S部分就行了。
1. Mott-Schottky Analysis of Nanoporous Semiconductor
http://www.elp.uji.es/paperspdf/2003%20JES%20MSTiO2.pdf
2. Passivity of AISI 321 stainless steel in 0.5 M H2SO4 solution studied by Mott–Schottky analysis in conjunction with the point defect model
http://www.sciencedirect.com/sci ... i/S1878535212000433
3. Passivity Breakdown of Titanium in LiBr Solutions
http://jes.ecsdl.org/content/161/1/C25.abstract
Themoreamanlearns,themoreheknowshisignorance!
7楼2013-11-20 19:03:24
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fengyameihua

银虫 (小有名气)

顶一下,别沉了呀
2楼2013-11-19 14:13:46
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Jackcd12

至尊木虫 (知名作家)

【答案】应助回帖

你上哪儿找的这个就是电容的公式:Cs=(-1)/(2*3.1415926*Z''*phase)。
公式中不该出现相位角的。
Themoreamanlearns,themoreheknowshisignorance!
3楼2013-11-19 14:58:34
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fengyameihua

银虫 (小有名气)

引用回帖:
3楼: Originally posted by Jackcd12 at 2013-11-19 14:58:34
你上哪儿找的这个就是电容的公式:Cs=(-1)/(2*3.1415926*Z''*phase)。
公式中不该出现相位角的。

就是在小木虫上http://muchong.com/html/201011/2642178.html,我用的这个计算公式
4楼2013-11-20 15:42:33
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