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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 计算模拟 » 求教　CdO 的能带结构
北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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wangzj

金虫 (小有名气)

[交流] 求教　CdO 的能带结构

我最近 用VASP　计算CdO 的能带结构，得到类金属的能带结构，但在计算带系时遇到问题。　相关文献在计算时得到－０．３eＶ的能带结构，但我的比较奇怪。希望高手不吝赐教。附件中为我计算的结果。欢迎大家多给建议！！！谢谢！

我的ＩＮＣＡＲ文件如下：

    PREC = Accurate
  IBRION = -1
     NSW = 0
    NELM = 60
  NELMIN = 4
   ENCUT = 500.000
   EDIFF = 1.0e-06
  EDIFFG = -0.01
VOSKOWN = 1
  NBLOCK = 1
   ISPIN = 1
  INIWAV = 1
  ISTART = 0
  ICHARG = 11
   LWAVE = .FALSE.
  LCHARG = .TRUE.
  ISMEAR = 1
   SIGMA = 0.2
  LORBIT = 12
   ALGO = N
   LREAL = .FALSE

ＰＯＳＣＡＲ文件：
POSCAR generated by cell class
   1.00000000000000
     3.6846257725089151    0.0000000000000000    0.0000000000000000
    -1.8423128862544575    3.1909795224315864    0.0000000000000000
     0.0000000000000000    0.0000000000000000    5.7875913547429167
   2   2
Direct
  0.3333333333333286  0.6666666666666714  0.9972495207672694
  0.6666666666666714  0.3333333333333286  0.4972495207672694
  0.3333333333333286  0.6666666666666714  0.3852496149450886
  0.6666666666666714  0.3333333333333286  0.8852496149450957

  0.00000000E+00  0.00000000E+00  0.00000000E+00
  0.00000000E+00  0.00000000E+00  0.00000000E+00
  0.00000000E+00  0.00000000E+00  0.00000000E+00
  0.00000000E+00  0.00000000E+00  0.00000000E+00
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1楼 2007-12-12 15:53:11
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wangzj

金虫 (小有名气)

ＣdＯ能带结构问题

说明：图中在Ｇ点，如果认为带隙为０，则导带底太平，很怪。
如果认为带隙为负，但导带不是一个连续光滑的曲线。
是不是有专门的参数　来计算　（类）金属的带结构？
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2楼2007-12-12 16:10:20
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carlon

金虫 (小有名气)
★ ★
zzgyb(金币+2,VIP+0):谢谢你的帮助！欢迎你继续来计算模拟版解答问题
如果材料不是导体，那么计算有错误
因为你算的体系在G点应该是没有带隙的，或者带隙很小很小，不属于半导体的范畴
这个误差来源于密度泛函理论本身的缺陷，就是说用密度泛函求解Kohn－sham方程一般都要低估带隙。
由于你算的体系文献报道是0.3eV左右，很小，由于理论本身的误差导致其在G点的带隙消失也就不奇怪了。
具体的解决方法：采用＋U方法，具体看看说明书把。
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3楼2007-12-12 18:00:03
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y1ding

铁杆木虫 (著名写手)
★
zzgyb(金币+1,VIP+0):谢谢你的帮助！欢迎你继续来计算模拟版解答问题
需要+GW修正，或者+U
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4楼2007-12-12 20:00:06
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wangzj

金虫 (小有名气)
多谢两位的意见！但我看的文献得到的带隙是负0.3eV。Sample TextSample Text，用+U的方法也只是负0.2eV。

由于低估带隙的问题，所以导致了结果为金属带隙（实验为0.9），但从我的结果来看

1，如认为带隙为0：在G点处，导带底象是被切掉一块一样和价带重合（带隙为0），
2，如带隙为负：导带右侧比较光滑连续，但在左侧却不光滑。

是不是在INCAR中还要设置一些其他参数？如何得到负的带隙？
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5楼2007-12-13 09:24:36
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y1ding

铁杆木虫 (著名写手)
期待vasp5.0出现吧,考虑GW修正可以避免这个问题.
或者你改用wien2k的全电子计算吧.
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6楼2007-12-13 14:25:17
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dawnlight

荣誉版主 (职业作家)

小木虫小小版主
楼上几位说的太好了。无疑，是带隙低估的问题。GW和+U都可以解决这个问题。我只补充一点：
如果你非要用MS算的话，你可以用LDA试一试，因为我猜想你可能是用的GGA。GGA算的带隙一般都小于LDA。CASTEP不太可能低估到2.3eV的直接带隙也算不出来。而且还有那么多重叠。还有可以就是supercell的问题。
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姿曰:年轻会结束，在结束以前，把想做的事做完吧!
7楼2007-12-15 21:51:57
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spur

金虫 (正式写手)

INCAR有点乱啊！
而且你既然是算能带，为何ISTAR＝0？？为何又没有交换关联函数？？
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8楼2007-12-15 23:49:37
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wangzj

金虫 (小有名气)
如果 设 ISTART=1 就要产生WAVECAR， 会占有很大的硬盘空间。所以设为0.
请问如何又没有交换关联函数？？ 是通过GGA吗？
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9楼2007-12-17 13:23:09
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