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wangzj

金虫 (小有名气)

[交流] 求教 CdO 的能带结构

我最近 用VASP 计算CdO 的能带结构,得到类金属的能带结构,但在计算带系时遇到问题。 相关文献在计算时得到-0.3eV的能带结构,但我的比较奇怪。希望高手不吝赐教。附件中为我计算的结果。欢迎大家多给建议!!!谢谢!

我的INCAR文件如下:

    PREC = Accurate
  IBRION = -1
     NSW = 0
    NELM = 60
  NELMIN = 4
   ENCUT = 500.000
   EDIFF = 1.0e-06
  EDIFFG = -0.01
VOSKOWN = 1
  NBLOCK = 1
   ISPIN = 1
  INIWAV = 1
  ISTART = 0
  ICHARG = 11
   LWAVE = .FALSE.
  LCHARG = .TRUE.
  ISMEAR = 1
   SIGMA = 0.2
  LORBIT = 12
   ALGO = N
   LREAL = .FALSE

POSCAR文件:
POSCAR generated by cell class
   1.00000000000000
     3.6846257725089151    0.0000000000000000    0.0000000000000000
    -1.8423128862544575    3.1909795224315864    0.0000000000000000
     0.0000000000000000    0.0000000000000000    5.7875913547429167
   2   2
Direct
  0.3333333333333286  0.6666666666666714  0.9972495207672694
  0.6666666666666714  0.3333333333333286  0.4972495207672694
  0.3333333333333286  0.6666666666666714  0.3852496149450886
  0.6666666666666714  0.3333333333333286  0.8852496149450957

  0.00000000E+00  0.00000000E+00  0.00000000E+00
  0.00000000E+00  0.00000000E+00  0.00000000E+00
  0.00000000E+00  0.00000000E+00  0.00000000E+00
  0.00000000E+00  0.00000000E+00  0.00000000E+00
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dawnlight

荣誉版主 (职业作家)

小木虫小小版主

楼上几位说的太好了。无疑,是带隙低估的问题。GW和+U都可以解决这个问题。我只补充一点:
如果你非要用MS算的话,你可以用LDA试一试,因为我猜想你可能是用的GGA。GGA算的带隙一般都小于LDA。CASTEP不太可能低估到2.3eV的直接带隙也算不出来。而且还有那么多重叠。还有可以就是supercell的问题。
姿曰:年轻会结束,在结束以前,把想做的事做完吧!
7楼2007-12-15 21:51:57
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查看全部 9 个回答

wangzj

金虫 (小有名气)

CdO能带结构问题

说明:图中在G点,如果认为带隙为0,则导带底太平,很怪。
如果认为带隙为负,但导带不是一个连续光滑的曲线。
是不是有专门的参数 来计算 (类)金属的带结构?
2楼2007-12-12 16:10:20
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carlon

金虫 (小有名气)

★ ★
zzgyb(金币+2,VIP+0):谢谢你的帮助!欢迎你继续来计算模拟版解答问题
如果材料不是导体,那么计算有错误
因为你算的体系在G点应该是没有带隙的,或者带隙很小很小,不属于半导体的范畴
这个误差来源于密度泛函理论本身的缺陷,就是说用密度泛函求解Kohn-sham方程一般都要低估带隙。
由于你算的体系文献报道是0.3eV左右,很小,由于理论本身的误差导致其在G点的带隙消失也就不奇怪了。
具体的解决方法:采用+U方法,具体看看说明书把。
3楼2007-12-12 18:00:03
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y1ding

铁杆木虫 (著名写手)


zzgyb(金币+1,VIP+0):谢谢你的帮助!欢迎你继续来计算模拟版解答问题
需要+GW修正,或者+U
4楼2007-12-12 20:00:06
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