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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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wangzj

金虫 (小有名气)

[交流] 求教 CdO 的能带结构

我最近 用VASP 计算CdO 的能带结构,得到类金属的能带结构,但在计算带系时遇到问题。 相关文献在计算时得到-0.3eV的能带结构,但我的比较奇怪。希望高手不吝赐教。附件中为我计算的结果。欢迎大家多给建议!!!谢谢!

我的INCAR文件如下:

    PREC = Accurate
  IBRION = -1
     NSW = 0
    NELM = 60
  NELMIN = 4
   ENCUT = 500.000
   EDIFF = 1.0e-06
  EDIFFG = -0.01
VOSKOWN = 1
  NBLOCK = 1
   ISPIN = 1
  INIWAV = 1
  ISTART = 0
  ICHARG = 11
   LWAVE = .FALSE.
  LCHARG = .TRUE.
  ISMEAR = 1
   SIGMA = 0.2
  LORBIT = 12
   ALGO = N
   LREAL = .FALSE

POSCAR文件:
POSCAR generated by cell class
   1.00000000000000
     3.6846257725089151    0.0000000000000000    0.0000000000000000
    -1.8423128862544575    3.1909795224315864    0.0000000000000000
     0.0000000000000000    0.0000000000000000    5.7875913547429167
   2   2
Direct
  0.3333333333333286  0.6666666666666714  0.9972495207672694
  0.6666666666666714  0.3333333333333286  0.4972495207672694
  0.3333333333333286  0.6666666666666714  0.3852496149450886
  0.6666666666666714  0.3333333333333286  0.8852496149450957

  0.00000000E+00  0.00000000E+00  0.00000000E+00
  0.00000000E+00  0.00000000E+00  0.00000000E+00
  0.00000000E+00  0.00000000E+00  0.00000000E+00
  0.00000000E+00  0.00000000E+00  0.00000000E+00
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carlon

金虫 (小有名气)

★ ★
zzgyb(金币+2,VIP+0):谢谢你的帮助!欢迎你继续来计算模拟版解答问题
如果材料不是导体,那么计算有错误
因为你算的体系在G点应该是没有带隙的,或者带隙很小很小,不属于半导体的范畴
这个误差来源于密度泛函理论本身的缺陷,就是说用密度泛函求解Kohn-sham方程一般都要低估带隙。
由于你算的体系文献报道是0.3eV左右,很小,由于理论本身的误差导致其在G点的带隙消失也就不奇怪了。
具体的解决方法:采用+U方法,具体看看说明书把。
3楼2007-12-12 18:00:03
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wangzj

金虫 (小有名气)

CdO能带结构问题

说明:图中在G点,如果认为带隙为0,则导带底太平,很怪。
如果认为带隙为负,但导带不是一个连续光滑的曲线。
是不是有专门的参数 来计算 (类)金属的带结构?
2楼2007-12-12 16:10:20
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y1ding

铁杆木虫 (著名写手)


zzgyb(金币+1,VIP+0):谢谢你的帮助!欢迎你继续来计算模拟版解答问题
需要+GW修正,或者+U
4楼2007-12-12 20:00:06
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wangzj

金虫 (小有名气)

多谢两位的意见!但我看的文献得到的带隙是负0.3eV。Sample TextSample Text,用+U的方法也只是负0.2eV。

由于低估带隙的问题,所以导致了结果为金属带隙(实验为0.9),但从我的结果来看

1,如认为带隙为0:在G点处,导带底象是被切掉一块一样和价带重合(带隙为0),
2,如带隙为负:导带右侧比较光滑连续,但在左侧却不光滑。

是不是在INCAR中还要设置一些其他参数?如何得到负的带隙?
5楼2007-12-13 09:24:36
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