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wangzj

金虫 (小有名气)

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[交流] 求教　CdO 的能带结构

我最近用VASP　计算CdO 的能带结构，得到类金属的能带结构，但在计算带系时遇到问题。　相关文献在计算时得到－０．３eＶ的能带结构，但我的比较奇怪。希望高手不吝赐教。附件中为我计算的结果。欢迎大家多给建议！！！谢谢！

我的ＩＮＣＡＲ文件如下：

PREC = Accurate
  IBRION = -1
   NSW = 0
NELM = 60
  NELMIN = 4
ENCUT = 500.000
EDIFF = 1.0e-06
  EDIFFG = -0.01
VOSKOWN = 1
  NBLOCK = 1
ISPIN = 1
  INIWAV = 1
  ISTART = 0
  ICHARG = 11
LWAVE = .FALSE.
  LCHARG = .TRUE.
  ISMEAR = 1
SIGMA = 0.2
  LORBIT = 12
ALGO = N
LREAL = .FALSE

ＰＯＳＣＡＲ文件：
POSCAR generated by cell class
1.00000000000000
   3.6846257725089151 0.0000000000000000 0.0000000000000000
-1.8423128862544575 3.1909795224315864 0.0000000000000000
   0.0000000000000000 0.0000000000000000 5.7875913547429167
2 2
Direct
  0.3333333333333286  0.6666666666666714  0.9972495207672694
  0.6666666666666714  0.3333333333333286  0.4972495207672694
  0.3333333333333286  0.6666666666666714  0.3852496149450886
  0.6666666666666714  0.3333333333333286  0.8852496149450957

  0.00000000E+00  0.00000000E+00  0.00000000E+00
  0.00000000E+00  0.00000000E+00  0.00000000E+00
  0.00000000E+00  0.00000000E+00  0.00000000E+00
  0.00000000E+00  0.00000000E+00  0.00000000E+00

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1楼 2007-12-12 15:53:11

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wangzj

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多谢两位的意见！但我看的文献得到的带隙是负0.3eV。Sample TextSample Text，用+U的方法也只是负0.2eV。

由于低估带隙的问题，所以导致了结果为金属带隙（实验为0.9），但从我的结果来看

1，如认为带隙为0：在G点处，导带底象是被切掉一块一样和价带重合（带隙为0），
2，如带隙为负：导带右侧比较光滑连续，但在左侧却不光滑。

是不是在INCAR中还要设置一些其他参数？如何得到负的带隙？

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5楼2007-12-13 09:24:36

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wangzj

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专业: 半导体材料设计与计算

ＣdＯ能带结构问题

说明：图中在Ｇ点，如果认为带隙为０，则导带底太平，很怪。
如果认为带隙为负，但导带不是一个连续光滑的曲线。
是不是有专门的参数　来计算　（类）金属的带结构？

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2楼2007-12-12 16:10:20

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carlon

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性别: GG
专业: 物理无机化学

★ ★
zzgyb(金币+2,VIP+0):谢谢你的帮助！欢迎你继续来计算模拟版解答问题

如果材料不是导体，那么计算有错误
因为你算的体系在G点应该是没有带隙的，或者带隙很小很小，不属于半导体的范畴
这个误差来源于密度泛函理论本身的缺陷，就是说用密度泛函求解Kohn－sham方程一般都要低估带隙。
由于你算的体系文献报道是0.3eV左右，很小，由于理论本身的误差导致其在G点的带隙消失也就不奇怪了。
具体的解决方法：采用＋U方法，具体看看说明书把。

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3楼2007-12-12 18:00:03

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