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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 计算模拟 » 求教　CdO 的能带结构
北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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wangzj

金虫 (小有名气)

[交流] 求教　CdO 的能带结构

我最近 用VASP　计算CdO 的能带结构，得到类金属的能带结构，但在计算带系时遇到问题。　相关文献在计算时得到－０．３eＶ的能带结构，但我的比较奇怪。希望高手不吝赐教。附件中为我计算的结果。欢迎大家多给建议！！！谢谢！

我的ＩＮＣＡＲ文件如下：

    PREC = Accurate
  IBRION = -1
     NSW = 0
    NELM = 60
  NELMIN = 4
   ENCUT = 500.000
   EDIFF = 1.0e-06
  EDIFFG = -0.01
VOSKOWN = 1
  NBLOCK = 1
   ISPIN = 1
  INIWAV = 1
  ISTART = 0
  ICHARG = 11
   LWAVE = .FALSE.
  LCHARG = .TRUE.
  ISMEAR = 1
   SIGMA = 0.2
  LORBIT = 12
   ALGO = N
   LREAL = .FALSE

ＰＯＳＣＡＲ文件：
POSCAR generated by cell class
   1.00000000000000
     3.6846257725089151    0.0000000000000000    0.0000000000000000
    -1.8423128862544575    3.1909795224315864    0.0000000000000000
     0.0000000000000000    0.0000000000000000    5.7875913547429167
   2   2
Direct
  0.3333333333333286  0.6666666666666714  0.9972495207672694
  0.6666666666666714  0.3333333333333286  0.4972495207672694
  0.3333333333333286  0.6666666666666714  0.3852496149450886
  0.6666666666666714  0.3333333333333286  0.8852496149450957

  0.00000000E+00  0.00000000E+00  0.00000000E+00
  0.00000000E+00  0.00000000E+00  0.00000000E+00
  0.00000000E+00  0.00000000E+00  0.00000000E+00
  0.00000000E+00  0.00000000E+00  0.00000000E+00
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1楼 2007-12-12 15:53:11
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wangzj

金虫 (小有名气)
如果 设 ISTART=1 就要产生WAVECAR， 会占有很大的硬盘空间。所以设为0.
请问如何又没有交换关联函数？？ 是通过GGA吗？
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9楼2007-12-17 13:23:09
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wangzj

金虫 (小有名气)

ＣdＯ能带结构问题

说明：图中在Ｇ点，如果认为带隙为０，则导带底太平，很怪。
如果认为带隙为负，但导带不是一个连续光滑的曲线。
是不是有专门的参数　来计算　（类）金属的带结构？
赞一下 回复此楼
2楼2007-12-12 16:10:20
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carlon

金虫 (小有名气)
★ ★
zzgyb(金币+2,VIP+0):谢谢你的帮助！欢迎你继续来计算模拟版解答问题
如果材料不是导体，那么计算有错误
因为你算的体系在G点应该是没有带隙的，或者带隙很小很小，不属于半导体的范畴
这个误差来源于密度泛函理论本身的缺陷，就是说用密度泛函求解Kohn－sham方程一般都要低估带隙。
由于你算的体系文献报道是0.3eV左右，很小，由于理论本身的误差导致其在G点的带隙消失也就不奇怪了。
具体的解决方法：采用＋U方法，具体看看说明书把。
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3楼2007-12-12 18:00:03
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y1ding

铁杆木虫 (著名写手)
★
zzgyb(金币+1,VIP+0):谢谢你的帮助！欢迎你继续来计算模拟版解答问题
需要+GW修正，或者+U
赞一下(10人) 回复此楼
4楼2007-12-12 20:00:06
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