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太原Neo

木虫 (正式写手)

金融统计建模

[求助] 间接带隙半导体 能量差 紫外吸收 已有1人参与

看文献看到如下内容:
A very well-defined excitation peak can be seen at 310 nm, and an emission peak at 420 nm, where the large energy discrepancy suggests that the particles behave as an indirect bandgap semiconductor material (UV-visible absorption measurements exhibit a largely featureless profile that is also consistent with indirect-bandgap semiconductor nanoparticles, Supporting Information, Figure S3).

1. 420nm与310nm对应的能量差(energy discrepancy)1242.375/(420-310),约为11.3ev,比较大,所以是间接带隙半导体。请问:energy discrepancy一般在哪个范围,就可以认为large,从而认为材料是间接带隙半导体。
2. 间接带隙半导体材料的UV-vis谱是没明显吸收峰的(largely featureless profile)。请问:这个观点有没有出处?


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Verywell
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太原Neo

木虫 (正式写手)

金融统计建模

这里能量差的计算出现了错误,应该是1242.375/310-1242.375/420=1.05ev. 非常感谢materialian的指正!
Verywell
4楼2013-11-01 07:37:05
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materialian

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
420nm与310nm对应的能量差(energy discrepancy)=(1240/310)-(1240/420)=1.05 eV
2楼2013-11-01 00:47:33
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太原Neo

木虫 (正式写手)

金融统计建模

引用回帖:
2楼: Originally posted by materialian at 2013-11-01 00:47:33
420nm与310nm对应的能量差(energy discrepancy)=(1240/310)-(1240/420)=1.05 eV

啊,对。非常感谢!
Verywell
3楼2013-11-01 07:34:08
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阿梨子

木虫 (正式写手)

把文章链接或者题目作者之类的信息发上来吧
5楼2013-11-01 09:23:47
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