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高斯TD-DFT计算荧光发射谱的问题
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用高斯计算荧光发射谱时，使用TD-DFT方法优化分子第一激发态的态的结构，得到的结果如下： Excitation energies and oscillator strengths: Excited State 1: Singlet-A 3.3508 eV 370.01 nm f=0.0000 <S**2>=0.000 98 ->101 -0.49326 99 ->100 -0.49368 This state for optimization and/or second-order correction. Total Energy, E(TD-HF/TD-KS) = -1201.86176834 Copying the excited state density for this state as the 1-particle RhoCI density. Excited State 2: Singlet-A 3.7186 eV 333.41 nm f=1.0949 <S**2>=0.000 98 ->100 0.10194 98 ->101 -0.47788 99 ->100 0.47747 99 ->101 0.10187 Excited State 3: Singlet-A 3.7187 eV 333.41 nm f=1.0960 <S**2>=0.000 98 ->100 0.47760 98 ->101 0.10194 99 ->100 -0.10187 99 ->101 0.47778 根据Kasha定则，我们主要关注S1→S0的跃迁。那么第一激发态的波长位置就是荧光发射谱的谱峰位置吗？f=0.0000 怎么理解啊，这是跃迁禁戒的。而激发态S2和S3具有很大的振子强度，怎么理解呢？另外看到有采用计算频率，即：使用Franck-Condon原理根据振幅来拟合谱峰强度。具体怎么操作呢，不是很理解，有没有相关的文献啊。请虫虫们帮忙。不胜感激  |
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 量子化学计算 |
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