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dinghj2010

木虫 (小有名气)

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[交流] 高斯TD-DFT计算荧光发射谱的问题

用高斯计算荧光发射谱时，使用TD-DFT方法优化分子第一激发态的态的结构，得到的结果如下：
Excitation energies and oscillator strengths:

Excited State 1:    Singlet-A    3.3508 eV  370.01 nm  f=0.0000  <S**2>=0.000
   98 ->101       -0.49326
   99 ->100       -0.49368
This state for optimization and/or second-order correction.
Total Energy, E(TD-HF/TD-KS) =  -1201.86176834
Copying the excited state density for this state as the 1-particle RhoCI density.

Excited State 2:    Singlet-A    3.7186 eV  333.41 nm  f=1.0949  <S**2>=0.000
   98 ->100       0.10194
   98 ->101       -0.47788
   99 ->100       0.47747
   99 ->101       0.10187

Excited State 3:    Singlet-A    3.7187 eV  333.41 nm  f=1.0960  <S**2>=0.000
   98 ->100       0.47760
   98 ->101       0.10194
   99 ->100       -0.10187
   99 ->101       0.47778
根据Kasha定则，我们主要关注S1→S0的跃迁。那么第一激发态的波长位置就是荧光发射谱的谱峰位置吗？f=0.0000 怎么理解啊，这是跃迁禁戒的。而激发态S2和S3具有很大的振子强度，怎么理解呢？另外看到有采用计算频率，即：使用Franck-Condon原理根据振幅来拟合谱峰强度。具体怎么操作呢，不是很理解，有没有相关的文献啊。请虫虫们帮忙。不胜感激

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1楼 2013-10-16 18:54:30

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

zhangyujin

铜虫 (正式写手)

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★
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引用回帖:

5楼: Originally posted by 枪下游魂 at 2013-10-17 06:51:02
f=0.0可以理解为跃迁禁阻，说明可能激发态结构较之基态结构变化较大
可以做个频率计算看下是否有虚频，再判断

你好，我遇到一个体系跟楼主的十分类似。基于基态做td计算显示第二激发态的振子强度较大，优化第一激发态显示Excited State 1的振子强度基本为0，而Excited State 2的振子强度较大；优化第二激发态结果只是把优化第一激发态的Excited State 2放到了第一位，也就是按照opt S1的结果按2-1-3-4-5……排列。这种情况下，是不是说明荧光波长为Excited State 2对应的波长，而荧光从S2发出的可能大一些，但是这样的话好像不符合kasha规则。