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dinghj2010

木虫 (小有名气)


[交流] 高斯TD-DFT计算荧光发射谱的问题

用高斯计算荧光发射谱时,使用TD-DFT方法优化分子第一激发态的态的结构,得到的结果如下:
Excitation energies and oscillator strengths:

Excited State   1:      Singlet-A      3.3508 eV  370.01 nm  f=0.0000  <S**2>=0.000
      98 ->101        -0.49326
      99 ->100        -0.49368
This state for optimization and/or second-order correction.
Total Energy, E(TD-HF/TD-KS) =  -1201.86176834   
Copying the excited state density for this state as the 1-particle RhoCI density.

Excited State   2:      Singlet-A      3.7186 eV  333.41 nm  f=1.0949  <S**2>=0.000
      98 ->100         0.10194
      98 ->101        -0.47788
      99 ->100         0.47747
      99 ->101         0.10187

Excited State   3:      Singlet-A      3.7187 eV  333.41 nm  f=1.0960  <S**2>=0.000
      98 ->100         0.47760
      98 ->101         0.10194
      99 ->100        -0.10187
      99 ->101         0.47778
根据Kasha定则,我们主要关注S1→S0的跃迁。那么第一激发态的波长位置就是荧光发射谱的谱峰位置吗?f=0.0000 怎么理解啊,这是跃迁禁戒的。而激发态S2和S3具有很大的振子强度,怎么理解呢?另外看到有采用计算频率,即:使用Franck-Condon原理根据振幅来拟合谱峰强度。具体怎么操作呢,不是很理解,有没有相关的文献啊。请虫虫们帮忙。不胜感激
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枪下游魂

木虫 (著名写手)


★ ★ ★ ★ ★
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gkf高: 金币+2 2013-10-17 09:21:38
dinghj2010: 金币+2 2013-10-17 11:22:34
f=0.0可以理解为跃迁禁阻,说明可能激发态结构较之基态结构变化较大
可以做个频率计算看下是否有虚频,再判断
5楼2013-10-17 06:51:02
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chm_liyx

木虫 (小有名气)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
同问,但楼主考虑溶剂效应么,计算机组能写出来看看么
3楼2013-10-16 20:33:25
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dinghj2010

木虫 (小有名气)


引用回帖:
3楼: Originally posted by chm_liyx at 2013-10-16 20:33:25
同问,但楼主考虑溶剂效应么,计算机组能写出来看看么

没有考虑溶剂效应,在气象下,是采用的TD-B3LYP/6-31G*,考虑溶剂对振子强度结果影响不大,只是波长略微红移
4楼2013-10-16 21:10:24
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chm_liyx

木虫 (小有名气)


★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
dinghj2010: 金币+5 2013-10-17 11:40:49
gkf高: 金币+2 2013-10-17 21:56:44
6楼2013-10-17 11:16:12
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