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CVD法硅片上能生长石墨烯吗
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| 本人刚做石墨烯的制备，因为想找一种与石墨烯热膨胀系数相当的衬底，请问硅片上能长石墨烯吗？ |
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 wulishi8在碳材料和其他专业问题的回复 |
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jiudushishu
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【答案】应助回帖
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感谢参与，应助指数 +1
小钱: 金币+3, ★★★很有帮助 2013-10-15 10:02:58
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小钱: 金币+3, ★★★很有帮助 2013-10-15 10:02:58
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Si上生长石墨烯前几年是石墨烯材料生长的一个小热点，理论和实验结果都证明这个方法可行。 但是，整体来说，Si上石墨烯的缺陷很多，这是由于碳源气体中的C原子先和Si原子结合成SiC缓冲层，然后再生长石墨烯，这样石墨烯的形貌就由SiC缓冲层决定，而Si上生长SiC是国际难题，都没有更好的办法，表面比较差，导致石墨烯不可避免的带来很多缺陷。我曾经生长了10多炉Si上石墨烯，最好的2D峰半宽是90cm-1，文献中最好是60cm-1多，都不如SiC升华和CVD外延，所以从去年至今国际上都不怎么做了，这个方法已经过时了。 中科院化学所提出在Si上先外延Si3N4，再用CVD法生长石墨烯，这个方法可行，2D峰半宽最小达到65cm-1 |
小钱
4楼2013-10-14 20:23:49
wulishi8
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2楼2013-10-12 18:35:29
张三的歌
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