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能量密度差距一个数量级，求助
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电容器的CP图的时间和文献上的差距非常大，充放电都不到10s，能量密度很小请问以下参数是否有问题。 Cathodic Current (A) = 0.01 Anodic Current (A) = 0.01 Init P/N = P Data Storage Interval (s) = 0.002 High E Limit (V) = 0.7 Low E Limit (V) = 0 Segment = 2  CP.png  参考文献图.png |
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负载量的计算就我了解的一般由两种模式去侧面计算。第一种就是用酸溶解掉负载的物质（这个要看具体情况）；第二种就是反应前后的质量差了（当然这个也是以Ni片不损失计算的）。文献中有的质量可以达到0.005mg，当然这个与他的仪器精度有关，也有的是侧面计算而得，我总是觉得达到这样的精度没多大实际意义，因为实际中你不可能单纯为了那最好的比电容而让负载层最低吧，太不现实了。如果你是做电极片上的表征肯定不能计算所有的沉淀了，负载前后质量差就可以大致作为你的负载量。但是我不知道你这泡沫镍有没有做处理，就是背面用ptfe涂覆一层，只有一层可以生长，如果没有涂覆，那你的泡沫镍就是正反两面都有了，这样在做电化学性能的时候相对来说，有的部分的活性物质利用率还是很低的。电流密度一般是以单位活性物质的质量下的电流（这个我做论文的时候很多审稿人都是这样推荐的），不是除以总质量。ni片的单位面积上的质量可以那样理解，在固定的厚度下。 |
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佳佳98810楼2013-09-23 08:43:34
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11楼2013-09-23 08:45:30
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13楼2013-09-25 09:23:40
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| 哈哈，你这不是lou xiong wen的CC上面的文章么，首先需要指出你的cp曲线有问题，单位不对，一般来说是以A/g作为电流密度去计算比电容。再来给你分析一下为什么你的比电容和他的可以差距这么大，在于你的NiCo2O4纳米线阵列的负载量，特别是在计算质量比电容的时候，质量稍微差一点，那比电容的计算就是差好几倍甚至10倍。在导电基底上生长阵列的文章不少，同样的东西，负载量可以从0.005mg-5mg，你可以看下这里面差距了多大，然后你再去计算的时候会有多大的误差。所以这样的质量比电容未必准确，大多数只是为了提升自己体系的比电容数值而已而获得认同。这篇文章在另一方面也衡量了面积比电容也算是弥补了一下，有的文章做出来的材料的质量比电容比理论都大好多。所以楼主可以优化负载量的同时，也不必太为那些数值而困扰，电化学你做的系统同样会被大家所认可。 |
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