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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 杂质能级的电子占据问题
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xiaoluoj

金虫 (正式写手)

[求助] 杂质能级的电子占据问题

如图是一个替位缺陷的dos图，通过积分发现杂质能级最多能够容纳2个电子（2个电子态）.若有外部电子注入体系内，请问如何判别此缺陷是更容易俘获1个电子（俘获一个电子之后排斥另一个电子）还是更容易俘获2个电子.有什么表征指标，
谢谢！！！
杂质能级的电子占据问题
C.JPG



[ Last edited by xiaoluoj on 2013-9-12 at 14:58 ]
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1楼2013-09-12 14:52:53
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xiaoluoj

金虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by lbing9002 at 2013-09-12 18:20:48
个人觉得用bader电荷分析一下应该可行

我觉得bader分析只是分析注入电子的分布情况，如何表征此缺陷更倾向于俘获一个电子（或者两个电子）
赞一下 回复此楼
3楼2013-09-12 19:07:10
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lbing9002

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
sunyang1988: 金币+1, 谢谢交流 2013-09-13 14:59:53
个人觉得用bader电荷分析一下应该可行
赞一下 回复此楼
穷则独善其身，达则兼济天下。
2楼2013-09-12 18:20:48
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hy1987007

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
xiaoluoj: 金币+5, ★有帮助 2013-09-13 11:22:23
算过渡能级可以么
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4楼2013-09-13 11:19:29
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xiaoluoj

金虫 (正式写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by hy1987007 at 2013-09-13 11:19:29
算过渡能级可以么

怎么算，有什么依据？愿听详解
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5楼2013-09-13 11:22:15
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