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xiaoluoj

金虫 (正式写手)

[求助] 杂质能级的电子占据问题

如图是一个替位缺陷的dos图,通过积分发现杂质能级最多能够容纳2个电子(2个电子态).若有外部电子注入体系内,请问如何判别此缺陷是更容易俘获1个电子(俘获一个电子之后排斥另一个电子)还是更容易俘获2个电子.有什么表征指标,
谢谢!!!
杂质能级的电子占据问题
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[ Last edited by xiaoluoj on 2013-9-12 at 14:58 ]
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lbing9002

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖


感谢参与,应助指数 +1
sunyang1988: 金币+1, 谢谢交流 2013-09-13 14:59:53
个人觉得用bader电荷分析一下应该可行
穷则独善其身,达则兼济天下。
2楼2013-09-12 18:20:48
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xiaoluoj

金虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by lbing9002 at 2013-09-12 18:20:48
个人觉得用bader电荷分析一下应该可行

我觉得bader分析只是分析注入电子的分布情况,如何表征此缺陷更倾向于俘获一个电子(或者两个电子)
3楼2013-09-12 19:07:10
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hy1987007

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
xiaoluoj: 金币+5, 有帮助 2013-09-13 11:22:23
算过渡能级可以么
4楼2013-09-13 11:19:29
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xiaoluoj

金虫 (正式写手)

引用回帖:
4楼: Originally posted by hy1987007 at 2013-09-13 11:19:29
算过渡能级可以么

怎么算,有什么依据?愿听详解
5楼2013-09-13 11:22:15
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lbing9002

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖


sunyang1988: 金币+1, 谢谢交流 2013-09-13 15:00:03
引用回帖:
3楼: Originally posted by xiaoluoj at 2013-09-12 19:07:10
我觉得bader分析只是分析注入电子的分布情况,如何表征此缺陷更倾向于俘获一个电子(或者两个电子)...

那就用VESTA显示CHGCAR文件,看看缺陷附近的电子密度有多大
穷则独善其身,达则兼济天下。
6楼2013-09-13 11:26:20
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