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loveguo

铁虫 (小有名气)

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[求助] 二氧化硅接枝改性

Sample Text
想在二氧化硅表面接枝改性，例如硅烷偶联剂KH570等，请问在二氧化硅表面的多个羟基中，接枝改性两个甚至两个以上的其他基团，是否可行？
另外，在之前个改性中接枝量非常小，只有百分之七左右，二氧化硅是在120℃下干燥过夜后使用的。请问是否因为二氧化硅前期处理不当造成的。
请不吝赐教，先谢过了。

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1楼 2013-08-30 22:11:27

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神奇丑蛋

金虫 (小有名气)

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【答案】应助回帖

★ ★ ★
loveguo: 金币+3 2013-10-30 16:30:54

有可能是干燥温度太高了，文献上一般都是50-60摄氏度，你试试降低点温度

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昨天是历史，今天是开始，明天谁都不好使！！！！！

2楼2013-09-03 16:51:20

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hijackhit

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【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2013-09-04 08:03:39
loveguo: 金币+5 2013-10-30 16:30:31
loveguo: 金币+7 2013-10-30 16:31:14

你用什么体系改性，水性还是有机，百分7不少了，不知道你的改性比多少。
烘干温度，如果改性是水性体系，是有点高了，多此一举，本来氧化硅羟基就多，怕脱水。
另外改性过程条件也有关，偶联剂不排除自聚的可能。

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3楼2013-09-03 17:52:57

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loveguo

铁虫 (小有名气)

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3楼: Originally posted by hijackhit at 2013-09-03 17:52:57
你用什么体系改性，水性还是有机，百分7不少了，不知道你的改性比多少。
烘干温度，如果改性是水性体系，是有点高了，多此一举，本来氧化硅羟基就多，怕脱水。
另外改性过程条件也有关，偶联剂不排除自聚的可能。

我主要是想知道，是不是可以在同一个SiO2表面接上两个或者两个以上的其他单体，做成像POSS一样的纳米粒子

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4楼2013-09-04 16:34:11

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