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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 晶体 » 基础理论 » 本征多晶硅是N型的还是P型的？
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young_scu

新虫 (初入文坛)

[求助] 本征多晶硅是N型的还是P型的？ 已有1人参与

希望结合理论解释一下：如晶格缺陷、界面等。
制备方法是PECVD反应形成非晶硅，然后利用准分子激光退火制得多晶硅。
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1楼 2013-08-20 17:55:18
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千叶拉面

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
3楼: Originally posted by young_scu at 2013-08-21 09:06:19
但是由于自身存在的缺陷和晶界等的影响，非晶和多晶一般都在未参杂状态下表现出导电类型，比如我很确定用PECVD沉积的非晶Si就是N型导电的（测过霍尔的）。。。

我想知道有木有谁有过类似的经验，这样可以指导接 ...

楼主解决问题了吗，我也一直很困扰这个…

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8楼2016-12-28 13:47:59
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icedata

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
这个说话应该是不正确的，本征材料一般都是指纯净材料，N型或者P型都是被掺杂的，是非本征。
现在搞多晶硅 非晶硅 准单晶的那么多，掺杂的基本没有听说，不过国内做单晶N型的倒是有点突破。不过国内的材料不管说得多牛，产业化的电子级的硅都基本没有，这个和台湾比我们都有很大的差距。

晶体缺陷：可以分为点缺陷（零维）、线缺陷（一维）和面缺陷（二维）三大类。点缺陷主要构形是空位、填隙原子、杂质原子等；线缺陷主要是指位错；面缺陷是指晶粒间界、孪晶界。

界面····这个要问你问的是什么界面了 生长界面？
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2楼2013-08-21 08:06:44
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young_scu

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by icedata at 2013-08-21 08:06:44
这个说话应该是不正确的，本征材料一般都是指纯净材料，N型或者P型都是被掺杂的，是非本征。
现在搞多晶硅 非晶硅 准单晶的那么多，掺杂的基本没有听说，不过国内做单晶N型的倒是有点突破。不过国内的材料不 ...

但是由于自身存在的缺陷和晶界等的影响，非晶和多晶一般都在未参杂状态下表现出导电类型，比如我很确定用PECVD沉积的非晶Si就是N型导电的（测过霍尔的）。。。

我想知道有木有谁有过类似的经验，这样可以指导接下来的实验。
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3楼2013-08-21 09:06:19
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young_scu

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by icedata at 2013-08-21 08:06:44
这个说话应该是不正确的，本征材料一般都是指纯净材料，N型或者P型都是被掺杂的，是非本征。
现在搞多晶硅 非晶硅 准单晶的那么多，掺杂的基本没有听说，不过国内做单晶N型的倒是有点突破。不过国内的材料不 ...

界面的话主要是退火的时候多晶硅表面有一部分氧化，不过这个界面应该不是很影响。
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4楼2013-08-21 09:13:28
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