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汕头大学海洋科学接受调剂
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young_scu

新虫 (初入文坛)

[求助] 本征多晶硅是N型的还是P型的? 已有1人参与

希望结合理论解释一下:如晶格缺陷、界面等。
制备方法是PECVD反应形成非晶硅,然后利用准分子激光退火制得多晶硅。
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young_scu

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by icedata at 2013-08-21 08:06:44
这个说话应该是不正确的,本征材料一般都是指纯净材料,N型或者P型都是被掺杂的,是非本征。
现在搞多晶硅 非晶硅 准单晶的那么多,掺杂的基本没有听说,不过国内做单晶N型的倒是有点突破。不过国内的材料不 ...

界面的话主要是退火的时候多晶硅表面有一部分氧化,不过这个界面应该不是很影响。
4楼2013-08-21 09:13:28
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icedata

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
这个说话应该是不正确的,本征材料一般都是指纯净材料,N型或者P型都是被掺杂的,是非本征。
现在搞多晶硅 非晶硅 准单晶的那么多,掺杂的基本没有听说,不过国内做单晶N型的倒是有点突破。不过国内的材料不管说得多牛,产业化的电子级的硅都基本没有,这个和台湾比我们都有很大的差距。

晶体缺陷:可以分为点缺陷(零维)、线缺陷(一维)和面缺陷(二维)三大类。点缺陷主要构形是空位、填隙原子、杂质原子等;线缺陷主要是指位错;面缺陷是指晶粒间界、孪晶界。

界面····这个要问你问的是什么界面了 生长界面?
2楼2013-08-21 08:06:44
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young_scu

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by icedata at 2013-08-21 08:06:44
这个说话应该是不正确的,本征材料一般都是指纯净材料,N型或者P型都是被掺杂的,是非本征。
现在搞多晶硅 非晶硅 准单晶的那么多,掺杂的基本没有听说,不过国内做单晶N型的倒是有点突破。不过国内的材料不 ...

但是由于自身存在的缺陷和晶界等的影响,非晶和多晶一般都在未参杂状态下表现出导电类型,比如我很确定用PECVD沉积的非晶Si就是N型导电的(测过霍尔的)。。。

我想知道有木有谁有过类似的经验,这样可以指导接下来的实验。
3楼2013-08-21 09:06:19
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tom773

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

本征就是不掺杂的,不是N也不是P
5楼2013-10-07 10:35:26
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