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Angusskanal

木虫 (小有名气)

[求助] 请问CVD法长石墨烯为什么不能长在SiO2/Si上?

如题,看了很多文献,都是长在金属上,再从金属转移到SiO2/Si上,没说为什么不直接长在SiO2/Si上。另外,如果用PVD法呢?

[ Last edited by Angusskanal on 2013-3-19 at 23:06 ]
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为科研奋斗终生
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justforu

木虫 (正式写手)

引用回帖:
4楼: Originally posted by wulishi8 at 2013-03-22 00:54:17
金属的碳溶解度不高不低的那种才能够用来生长石墨烯,比如Cu,Ir等等。
用来长碳管的如Fe,Ni等等碳的溶解度太高了。
相反,一般硅的碳溶解度低到不能用来生长,也就是催化能力太弱。
但是如果高温真空处理SiC,可 ...

你好 我想问问 是不是一定得用过渡金属氧化物作基底。。。。非过渡金属氧化物可以么 谢谢?
9楼2015-05-26 09:49:23
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hqh2011

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖


感谢参与,应助指数 +1
Angusskanal: 金币+1, 有帮助 2013-03-22 10:47:17
这主要是由于金属基底的氧化物可以为碳材料生长提供合适的位点。
再者,硅片在使用时表面过于光滑,而且其表面容易出现一层氧化层的原因。
希望有帮助
2楼2013-03-19 23:53:58
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Angusskanal

木虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by hqh2011 at 2013-03-19 23:53:58
这主要是由于金属基底的氧化物可以为碳材料生长提供合适的位点。
再者,硅片在使用时表面过于光滑,而且其表面容易出现一层氧化层的原因。
希望有帮助

请问什么叫位点?石墨烯能淀积在SiO2上吗?
为科研奋斗终生
3楼2013-03-21 19:21:04
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wulishi8

专家顾问 (知名作家)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
Angusskanal: 金币+2, 有帮助 2013-03-22 10:47:01
Angusskanal: 金币+2, 有帮助 2013-03-30 21:42:04
金属的碳溶解度不高不低的那种才能够用来生长石墨烯,比如Cu,Ir等等。
用来长碳管的如Fe,Ni等等碳的溶解度太高了。
相反,一般硅的碳溶解度低到不能用来生长,也就是催化能力太弱。
但是如果高温真空处理SiC,可以得到比CVD质量更好的石墨烯。
中山大学材料学院招聘博士后和专职研究员,年薪20万起,请站内联系,谢谢。
4楼2013-03-22 00:54:17
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