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请问CVD法长石墨烯为什么不能长在SiO2/Si上?
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Angusskanal
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请问CVD法长石墨烯为什么不能长在SiO2/Si上?
如题,看了很多文献,都是长在金属上,再从金属转移到SiO2/Si上,没说为什么不直接长在SiO2/Si上。另外,如果用PVD法呢?
[
Last edited by Angusskanal on 2013-3-19 at 23:06
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为科研奋斗终生
1楼
2013-03-19 23:01:09
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justforu
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4楼
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Originally posted by
wulishi8
at 2013-03-22 00:54:17
金属的碳溶解度不高不低的那种才能够用来生长石墨烯,比如Cu,Ir等等。
用来长碳管的如Fe,Ni等等碳的溶解度太高了。
相反,一般硅的碳溶解度低到不能用来生长,也就是催化能力太弱。
但是如果高温真空处理SiC,可 ...
你好 我想问问 是不是一定得用过渡金属氧化物作基底。。。。非过渡金属氧化物可以么 谢谢?
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9楼
2015-05-26 09:49:23
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2013-03-22 10:47:17
这主要是由于金属基底的氧化物可以为碳材料生长提供合适的位点。
再者,硅片在使用时表面过于光滑,而且其表面容易出现一层氧化层的原因。
希望有帮助
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2楼
2013-03-19 23:53:58
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2楼
:
Originally posted by
hqh2011
at 2013-03-19 23:53:58
这主要是由于金属基底的氧化物可以为碳材料生长提供合适的位点。
再者,硅片在使用时表面过于光滑,而且其表面容易出现一层氧化层的原因。
希望有帮助
请问什么叫位点?石墨烯能淀积在SiO2上吗?
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为科研奋斗终生
3楼
2013-03-21 19:21:04
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2013-03-30 21:42:04
金属的碳溶解度不高不低的那种才能够用来生长石墨烯,比如Cu,Ir等等。
用来长碳管的如Fe,Ni等等碳的溶解度太高了。
相反,一般硅的碳溶解度低到不能用来生长,也就是催化能力太弱。
但是如果高温真空处理SiC,可以得到比CVD质量更好的石墨烯。
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中山大学材料学院招聘博士后和专职研究员,年薪20万起,请站内联系,谢谢。
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2013-03-22 00:54:17
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