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Angusskanal木虫 (小有名气)
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请问CVD法长石墨烯为什么不能长在SiO2/Si上？
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如题，看了很多文献，都是长在金属上，再从金属转移到SiO2/Si上，没说为什么不直接长在SiO2/Si上。另外，如果用PVD法呢？ [ Last edited by Angusskanal on 2013-3-19 at 23:06 ] |
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 wulishi8在碳材料和其他专业问题的回复 |
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2楼2013-03-19 23:53:58
Angusskanal
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4楼2013-03-22 00:54:17
cord 
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5楼2013-03-22 02:10:58
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Angusskanal: 金币+3, ★★★很有帮助 2013-04-16 14:23:53
Angusskanal: 金币+3, ★★★很有帮助 2013-04-16 14:23:53
| CVD方法在绝缘基底上制备石墨烯是一个非常重要的方向，相比于金属基底上可以避免转移带来的碎裂和杂质等问题。近年来，在这方面的工作还是挺多的。我们组有个师兄主要就是做这个，已经发表了一篇JACS和一篇Adv Mater，主要就是关注在绝缘基底比如SiC和SiO2上生长高质量的石墨烯。但是，和金属催化剂生长有所不同，绝缘基底需要经过高温退火和氧辅助以增加成核位点，而且由于碳在绝缘基底上很难吸附所以生长时间非常长才能得到石墨烯。“Oxygen-Aided Synthesis of Polycrystalline Graphene on Silicon Dioxide Substrates”这是他JACS上的文章题目，希望对你有用。 |
6楼2013-04-16 12:19:21
steinhause
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