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采用低压CVD制备石墨烯的原因
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XIEFUANFUAN
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专业: 能源化工
[交流]
采用低压CVD制备石墨烯的原因
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最近看一些文献,长单晶的石墨烯主要仍采用的是低压CVD法,但没有介绍为什么?低压CVD在石墨烯生长过程中较常压CVD法的优势有哪些呢?希望有能之士能指点一下
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1楼
2013-04-23 22:32:45
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2013-04-25 09:20:18
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性别: GG
专业: 理论和计算化学
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不懂,是不是控制生长速度以减少缺陷?
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3楼
2013-05-01 15:26:07
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zhonghuan
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专业: 功能陶瓷
★
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我觉得低压条件是为了气体分子分散得更均匀,长出的石墨烯厚度也更均匀,而且缺陷较少吧,这个没有深研究过
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4楼
2013-05-30 09:10:39
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注册: 2016-03-30
专业: 无机合成和制备化学
★
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低压气相沉积,有自限制生长,较容易控制生长出的石墨烯层数,并且诸多试验表明,LPCVD生长出的石墨烯更少缺陷,层数都更小
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5楼
2016-03-30 15:33:01
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