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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 合成表征 » 采用低压CVD制备石墨烯的原因
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XIEFUANFUAN

银虫 (小有名气)

[交流] 采用低压CVD制备石墨烯的原因 已有4人参与

最近看一些文献，长单晶的石墨烯主要仍采用的是低压CVD法，但没有介绍为什么？低压CVD在石墨烯生长过程中较常压CVD法的优势有哪些呢？希望有能之士能指点一下
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1楼 2013-04-23 22:32:45
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supconsimit

木虫 (正式写手)
同问
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2楼2013-04-25 09:20:18
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鹰羽龙

木虫 (著名写手)
★
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不懂，是不是控制生长速度以减少缺陷？
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3楼2013-05-01 15:26:07
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zhonghuan

新虫 (初入文坛)
★
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我觉得低压条件是为了气体分子分散得更均匀，长出的石墨烯厚度也更均匀，而且缺陷较少吧，这个没有深研究过
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4楼2013-05-30 09:10:39
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Hanchi欧巴

金虫 (小有名气)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
低压气相沉积，有自限制生长，较容易控制生长出的石墨烯层数，并且诸多试验表明，LPCVD生长出的石墨烯更少缺陷，层数都更小
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5楼2016-03-30 15:33:01
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