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XIEFUANFUAN

银虫 (小有名气)

[交流] 采用低压CVD制备石墨烯的原因 已有4人参与

最近看一些文献,长单晶的石墨烯主要仍采用的是低压CVD法,但没有介绍为什么?低压CVD在石墨烯生长过程中较常压CVD法的优势有哪些呢?希望有能之士能指点一下
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supconsimit

木虫 (正式写手)

2楼2013-04-25 09:20:18
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鹰羽龙

木虫 (著名写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
不懂,是不是控制生长速度以减少缺陷?
3楼2013-05-01 15:26:07
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zhonghuan

新虫 (初入文坛)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
我觉得低压条件是为了气体分子分散得更均匀,长出的石墨烯厚度也更均匀,而且缺陷较少吧,这个没有深研究过
4楼2013-05-30 09:10:39
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Hanchi欧巴

金虫 (小有名气)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
低压气相沉积,有自限制生长,较容易控制生长出的石墨烯层数,并且诸多试验表明,LPCVD生长出的石墨烯更少缺陷,层数都更小
5楼2016-03-30 15:33:01
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