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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 功能薄膜 » 请教制备薄膜时不同的退火方式
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破晓初春

金虫 (正式写手)

[求助] 请教制备薄膜时不同的退火方式

磁控溅射制备薄膜，需要退火，想用以下三种方法：
1.溅射完后，800度通氧气一小时，再降到室温
2.溅射完后，从800度降到一个固定的温度（如300度），设定一个固定的时间（比如一小时），此过程通氧气，然后再降到室温
3.溅射完后，取出薄膜放入管式炉中通氧气800度下一小时，再降到室温
请教下第二种方法算退火吗？如果算的话这三种方式分别是什么？原位退火or？？？有什么区别和影响？
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1楼2013-03-07 12:46:11
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Drizzt_Ng

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★
破晓初春: 金币+6 2013-03-12 10:47:25
引用回帖:
10楼: Originally posted by wangbo1966 at 2013-03-07 17:01:18
三种都算退火。
要看你退火的目的，如果是为了提高结晶度和补充氧含量，第一种方法的原位退火效果应该最好，第三种次之，而第二种效果最差。因为是在300℃保温，原子扩散能力相对较弱，因此对结晶度和补氧量的作用 ...

也不绝对的，楼主通氧退火应该是为了防止氧缺位，那就要看该材料的吸氧温度了，不是说越高越好。
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12楼2013-03-11 13:42:38
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Drizzt_Ng

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

引用回帖:
13楼: Originally posted by 破晓初春 at 2013-03-12 10:47:58
谢谢，吸氧温度一般能在文献里查到吗？...

可以啊，不同材料应该挺多都有介绍的
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15楼2013-03-12 11:45:26
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