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wangyong832

银虫 (著名写手)

[交流] 氧化物半导体迁移率低----室温反应磁控溅射

大家有用过反应磁控溅射在室温下制备氧化物半导体的吗？

室温下溅射的薄膜迁移率太低，都低于Hall系数测试仪的测试极限。提高衬底温度倒是能增加迁移率，但是工业应用没前景啊。

室温共溅射的3元氧化物半导体更是很差，结晶质量太差了。

大家有什么想法  建议 都可以交流
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1楼 2012-12-29 19:14:31
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userhung

禁虫 (文学泰斗)
★ ★
wangyong832(金币+1): 谢谢参与
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-12-29 22:58:32
http://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-ZKKX201205002.htm
http://2010.cqvip.com/qk/90370X/200501/11830159.html
http://www.doc88.com/p-903594081152.html
http://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTotal-BDTJ201202010.htm
http://www.chemyq.com/expert/ep47/461728_2EA49.htm
http://mall.cnki.net/magazine/Article/ZKKX201205002.htm
http://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-ZKKX200504016.htm
http://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTotal-ZKZK201002017.htm
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2楼2012-12-29 19:44:39
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xpengpengx

铜虫 (小有名气)
★ ★
wangyong832(金币+1): 谢谢参与
zhaohaixing: 金币+1, 欢迎新虫来功能材料版交流~~ 2013-01-15 09:09:37
非要用反应磁控溅射吗？直接做成氧化物靶材溅射不行吗？
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3楼2012-12-29 20:07:39
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wangyong832

银虫 (著名写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by xpengpengx at 2012-12-29 20:07:39
非要用反应磁控溅射吗？直接做成氧化物靶材溅射不行吗？

从工业应用角度考虑，反应溅射成本是最低的。
  一些三元氧化物半导体，你做成氧化物靶材也解决不了问题，不同元素的溅射产率不同
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4楼2012-12-29 22:13:25
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wangyong832

银虫 (著名写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by userhung at 2012-12-29 19:44:39
http://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-ZKKX201205002.htm
http://2010.cqvip.com/qk/90370X/200501/11830159.html
http://www.doc88.com/p-903594081152.html
http://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTotal-BD ...

这些文献价值不大。。。
  目前我们在2元氧化物半导体制备方面 结晶质量还行，但是迁移率太低，缺陷太多
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5楼2012-12-29 22:16:02
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xpengpengx

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by wangyong832 at 2012-12-29 22:13:25
从工业应用角度考虑，反应溅射成本是最低的。
  一些三元氧化物半导体，你做成氧化物靶材也解决不了问题，不同元素的溅射产率不同...

不是吧，我现在就是做的三元氧化物半导体，直接做成靶材溅射的   好像反应溅射更难控制吧？你说的成本低是从哪个角度来说？
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6楼2012-12-29 22:41:16
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wangyong832

银虫 (著名写手)
引用回帖:
6楼: Originally posted by xpengpengx at 2012-12-29 22:41:16
不是吧，我现在就是做的三元氧化物半导体，直接做成靶材溅射的   好像反应溅射更难控制吧？你说的成本低是从哪个角度来说？...

就是这个做靶材增加了成本和复杂度。
  现在我们反应共溅射做3元的，能制备纯相的，其他性能都还行，就是迁移率差。
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7楼2012-12-29 23:05:49
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yswyx

专家顾问 (著名写手)
★
wangyong832(金币+1): 谢谢参与
引用回帖:
7楼: Originally posted by wangyong832 at 2012-12-29 23:05:49
就是这个做靶材增加了成本和复杂度。
  现在我们反应共溅射做3元的，能制备纯相的，其他性能都还行，就是迁移率差。...

你测的迁移率在退火前后的差异大吗？
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8楼2012-12-30 13:22:20
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wangyong832

银虫 (著名写手)
引用回帖:
8楼: Originally posted by yswyx at 2012-12-30 13:22:20
你测的迁移率在退火前后的差异大吗？...

是呢
  退火前迁移率小的连设备都无法测出来；
   但是高温退火也不是好办法，像特殊衬底如聚合物衬底，不能工作在高温
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10楼2012-12-30 16:48:01
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yswyx

专家顾问 (著名写手)
★
chemlh: 金币+1, 欢迎yswyx专家积极交流 2013-01-14 10:17:06
引用回帖:
10楼: Originally posted by wangyong832 at 2012-12-30 16:48:01
是呢
  退火前迁移率小的连设备都无法测出来；
   但是高温退火也不是好办法，像特殊衬底如聚合物衬底，不能工作在高温...

可以先用硅衬底之类的做高温退火，先把最好的迁移率找出来。然后再考虑低温的情况。

另外，就是聚合物衬底，也可以考虑用特殊的退火方式，比如激光退火，应该可以大幅度提升能承受的退火文图。只是这类设备只有工厂用，我只认识一个研究单位有个验证设备。
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11楼2012-12-31 15:46:32
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wangyong832

银虫 (著名写手)
引用回帖:
11楼: Originally posted by yswyx at 2012-12-31 15:46:32
可以先用硅衬底之类的做高温退火，先把最好的迁移率找出来。然后再考虑低温的情况。

另外，就是聚合物衬底，也可以考虑用特殊的退火方式，比如激光退火，应该可以大幅度提升能承受的退火文图。只是这类设备只有 ...

这个到没听说过， 我去查查，非常感谢~~
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12楼2012-12-31 16:38:18
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匿名

用户注销 (职业作家)
★
wangyong832(金币+1): 谢谢参与
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13楼2013-01-01 10:25:43
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lsx2121

捐助贵宾 (小有名气)
★
wangyong832(金币+1): 谢谢参与
chemlh: 欢迎积极交流 2013-01-14 10:17:24
本帖内容被屏蔽
14楼2013-01-14 02:03:41
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wangyong832

银虫 (著名写手)
引用回帖:
14楼: Originally posted by lsx2121 at 2013-01-14 02:03:41
二元的 ，室温下做反应溅射 工业上 有几种方法：

1） 非平衡闭合磁场反应溅射， 直接进行反应溅射
2） 先溅射金属 + 等离子体氧化
3)    溅射 + 等离子监控系统，有很多的应用。

三元的 反应溅射比较难控制 ...

啊  
  高手  让我长见识了
   还请多多指教。
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15楼2013-01-14 02:34:53
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bazhuayuyu

木虫 (著名写手)
★
wangyong832(金币+1): 谢谢参与
你问的太笼统了，首先我要澄清几个问题：
1.某些多元氧化物系统有可能在500度下都是稳定的非晶，不存在室温结晶质量差的问题，做什么体系你最好先看看相图，没相图就找找相关文献
2.非晶氧化物不一定迁移率就低，有很多都能做到10以上
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16楼2013-01-14 12:39:51
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wangyong832

银虫 (著名写手)
引用回帖:
16楼: Originally posted by bazhuayuyu at 2013-01-14 12:39:51
你问的太笼统了，首先我要澄清几个问题：
1.某些多元氧化物系统有可能在500度下都是稳定的非晶，不存在室温结晶质量差的问题，做什么体系你最好先看看相图，没相图就找找相关文献
2.非晶氧化物不一定迁移率就低， ...

谢谢~
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17楼2013-01-14 18:09:23
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zhxfish

金虫 (著名写手)
★
wangyong832(金币+1): 谢谢参与
神马材料？一般ITO迁移率可以达到20-30cm^2/V.s
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18楼2013-04-23 19:47:20
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su-b089楼
2012-12-30 15:03   回复  
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