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wangyong832

银虫 (著名写手)


[交流] 氧化物半导体迁移率低----室温反应磁控溅射

大家有用过反应磁控溅射在室温下制备氧化物半导体的吗?

室温下溅射的薄膜迁移率太低,都低于Hall系数测试仪的测试极限。提高衬底温度倒是能增加迁移率,但是工业应用没前景啊。

室温共溅射的3元氧化物半导体更是很差,结晶质量太差了。

大家有什么想法  建议 都可以交流
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userhung

禁虫 (文学泰斗)


2楼2012-12-29 19:44:39
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xpengpengx

铜虫 (小有名气)


★ ★
wangyong832(金币+1): 谢谢参与
zhaohaixing: 金币+1, 欢迎新虫来功能材料版交流~~ 2013-01-15 09:09:37
非要用反应磁控溅射吗?直接做成氧化物靶材溅射不行吗?
3楼2012-12-29 20:07:39
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wangyong832

银虫 (著名写手)


引用回帖:
3楼: Originally posted by xpengpengx at 2012-12-29 20:07:39
非要用反应磁控溅射吗?直接做成氧化物靶材溅射不行吗?

从工业应用角度考虑,反应溅射成本是最低的。
  一些三元氧化物半导体,你做成氧化物靶材也解决不了问题,不同元素的溅射产率不同
4楼2012-12-29 22:13:25
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wangyong832

银虫 (著名写手)


引用回帖:
2楼: Originally posted by userhung at 2012-12-29 19:44:39
http://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-ZKKX201205002.htm
http://2010.cqvip.com/qk/90370X/200501/11830159.html
http://www.doc88.com/p-903594081152.html
http://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTotal-BD ...

这些文献价值不大。。。
  目前我们在2元氧化物半导体制备方面 结晶质量还行,但是迁移率太低,缺陷太多
5楼2012-12-29 22:16:02
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xpengpengx

铜虫 (小有名气)


引用回帖:
4楼: Originally posted by wangyong832 at 2012-12-29 22:13:25
从工业应用角度考虑,反应溅射成本是最低的。
  一些三元氧化物半导体,你做成氧化物靶材也解决不了问题,不同元素的溅射产率不同...

不是吧,我现在就是做的三元氧化物半导体,直接做成靶材溅射的   好像反应溅射更难控制吧?你说的成本低是从哪个角度来说?
6楼2012-12-29 22:41:16
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wangyong832

银虫 (著名写手)


引用回帖:
6楼: Originally posted by xpengpengx at 2012-12-29 22:41:16
不是吧,我现在就是做的三元氧化物半导体,直接做成靶材溅射的   好像反应溅射更难控制吧?你说的成本低是从哪个角度来说?...

就是这个做靶材增加了成本和复杂度。
  现在我们反应共溅射做3元的,能制备纯相的,其他性能都还行,就是迁移率差。
7楼2012-12-29 23:05:49
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wangyong832(金币+1): 谢谢参与
引用回帖:
7楼: Originally posted by wangyong832 at 2012-12-29 23:05:49
就是这个做靶材增加了成本和复杂度。
  现在我们反应共溅射做3元的,能制备纯相的,其他性能都还行,就是迁移率差。...

你测的迁移率在退火前后的差异大吗?
8楼2012-12-30 13:22:20
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wangyong832

银虫 (著名写手)


引用回帖:
8楼: Originally posted by yswyx at 2012-12-30 13:22:20
你测的迁移率在退火前后的差异大吗?...

是呢
  退火前迁移率小的连设备都无法测出来;
   但是高温退火也不是好办法,像特殊衬底如聚合物衬底,不能工作在高温
10楼2012-12-30 16:48:01
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chemlh: 金币+1, 欢迎yswyx专家积极交流 2013-01-14 10:17:06
引用回帖:
10楼: Originally posted by wangyong832 at 2012-12-30 16:48:01
是呢
  退火前迁移率小的连设备都无法测出来;
   但是高温退火也不是好办法,像特殊衬底如聚合物衬底,不能工作在高温...

可以先用硅衬底之类的做高温退火,先把最好的迁移率找出来。然后再考虑低温的情况。

另外,就是聚合物衬底,也可以考虑用特殊的退火方式,比如激光退火,应该可以大幅度提升能承受的退火文图。只是这类设备只有工厂用,我只认识一个研究单位有个验证设备。
11楼2012-12-31 15:46:32
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wangyong832

银虫 (著名写手)


引用回帖:
11楼: Originally posted by yswyx at 2012-12-31 15:46:32
可以先用硅衬底之类的做高温退火,先把最好的迁移率找出来。然后再考虑低温的情况。

另外,就是聚合物衬底,也可以考虑用特殊的退火方式,比如激光退火,应该可以大幅度提升能承受的退火文图。只是这类设备只有 ...

这个到没听说过, 我去查查,非常感谢~~
12楼2012-12-31 16:38:18
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匿名

用户注销 (职业作家)



wangyong832(金币+1): 谢谢参与
本帖仅楼主可见
13楼2013-01-01 10:25:43
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lsx2121

捐助贵宾 (小有名气)


wangyong832(金币+1): 谢谢参与
chemlh: 欢迎积极交流 2013-01-14 10:17:24
本帖内容被屏蔽

14楼2013-01-14 02:03:41
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wangyong832

银虫 (著名写手)


引用回帖:
14楼: Originally posted by lsx2121 at 2013-01-14 02:03:41
二元的 ,室温下做反应溅射 工业上 有几种方法:

1) 非平衡闭合磁场反应溅射, 直接进行反应溅射
2) 先溅射金属 + 等离子体氧化
3)    溅射 + 等离子监控系统,有很多的应用。

三元的 反应溅射比较难控制 ...

啊  
  高手  让我长见识了
   还请多多指教。
15楼2013-01-14 02:34:53
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bazhuayuyu

木虫 (著名写手)



wangyong832(金币+1): 谢谢参与
你问的太笼统了,首先我要澄清几个问题:
1.某些多元氧化物系统有可能在500度下都是稳定的非晶,不存在室温结晶质量差的问题,做什么体系你最好先看看相图,没相图就找找相关文献
2.非晶氧化物不一定迁移率就低,有很多都能做到10以上
16楼2013-01-14 12:39:51
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wangyong832

银虫 (著名写手)


引用回帖:
16楼: Originally posted by bazhuayuyu at 2013-01-14 12:39:51
你问的太笼统了,首先我要澄清几个问题:
1.某些多元氧化物系统有可能在500度下都是稳定的非晶,不存在室温结晶质量差的问题,做什么体系你最好先看看相图,没相图就找找相关文献
2.非晶氧化物不一定迁移率就低, ...

谢谢~
17楼2013-01-14 18:09:23
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zhxfish

金虫 (著名写手)



wangyong832(金币+1): 谢谢参与
神马材料?一般ITO迁移率可以达到20-30cm^2/V.s
18楼2013-04-23 19:47:20
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su-b089楼
2012-12-30 15:03   回复  
wangyong832(金币+1): 谢谢参与
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