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wangyong832

银虫 (著名写手)

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[交流] 氧化物半导体迁移率低----室温反应磁控溅射

大家有用过反应磁控溅射在室温下制备氧化物半导体的吗？

室温下溅射的薄膜迁移率太低，都低于Hall系数测试仪的测试极限。提高衬底温度倒是能增加迁移率，但是工业应用没前景啊。

室温共溅射的3元氧化物半导体更是很差，结晶质量太差了。

大家有什么想法建议都可以交流

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1楼 2012-12-29 19:14:31

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xpengpengx

铜虫 (小有名气)

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★ ★
wangyong832(金币+1): 谢谢参与
zhaohaixing: 金币+1, 欢迎新虫来功能材料版交流~~ 2013-01-15 09:09:37

非要用反应磁控溅射吗？直接做成氧化物靶材溅射不行吗？

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3楼2012-12-29 20:07:39

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userhung

禁虫 (文学泰斗)

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★ ★
wangyong832(金币+1): 谢谢参与
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-12-29 22:58:32

http://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-ZKKX201205002.htm
http://2010.cqvip.com/qk/90370X/200501/11830159.html
http://www.doc88.com/p-903594081152.html
http://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTotal-BDTJ201202010.htm
http://www.chemyq.com/expert/ep47/461728_2EA49.htm
http://mall.cnki.net/magazine/Article/ZKKX201205002.htm
http://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-ZKKX200504016.htm
http://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTotal-ZKZK201002017.htm

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2楼2012-12-29 19:44:39

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wangyong832

银虫 (著名写手)

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引用回帖:

3楼: Originally posted by xpengpengx at 2012-12-29 20:07:39
非要用反应磁控溅射吗？直接做成氧化物靶材溅射不行吗？

从工业应用角度考虑，反应溅射成本是最低的。
一些三元氧化物半导体，你做成氧化物靶材也解决不了问题，不同元素的溅射产率不同

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4楼2012-12-29 22:13:25

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wangyong832

银虫 (著名写手)

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虫号: 551306

引用回帖:

2楼: Originally posted by userhung at 2012-12-29 19:44:39
http://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-ZKKX201205002.htm
http://2010.cqvip.com/qk/90370X/200501/11830159.html
http://www.doc88.com/p-903594081152.html
http://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTotal-BD ...

这些文献价值不大。。。
目前我们在2元氧化物半导体制备方面结晶质量还行，但是迁移率太低，缺陷太多

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5楼2012-12-29 22:16:02

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su-b089楼

2012-12-30 15:03 回复

wangyong832(金币+1): 谢谢参与

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