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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 半导体 » 氧化物半导体迁移率低----室温反应磁控溅射
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wangyong832

银虫 (著名写手)

[交流] 氧化物半导体迁移率低----室温反应磁控溅射

大家有用过反应磁控溅射在室温下制备氧化物半导体的吗？

室温下溅射的薄膜迁移率太低，都低于Hall系数测试仪的测试极限。提高衬底温度倒是能增加迁移率，但是工业应用没前景啊。

室温共溅射的3元氧化物半导体更是很差，结晶质量太差了。

大家有什么想法  建议 都可以交流
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1楼 2012-12-29 19:14:31
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wangyong832

银虫 (著名写手)
引用回帖:
16楼: Originally posted by bazhuayuyu at 2013-01-14 12:39:51
你问的太笼统了，首先我要澄清几个问题：
1.某些多元氧化物系统有可能在500度下都是稳定的非晶，不存在室温结晶质量差的问题，做什么体系你最好先看看相图，没相图就找找相关文献
2.非晶氧化物不一定迁移率就低， ...

谢谢~
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17楼2013-01-14 18:09:23
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userhung

禁虫 (文学泰斗)
★ ★
wangyong832(金币+1): 谢谢参与
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-12-29 22:58:32
http://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-ZKKX201205002.htm
http://2010.cqvip.com/qk/90370X/200501/11830159.html
http://www.doc88.com/p-903594081152.html
http://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTotal-BDTJ201202010.htm
http://www.chemyq.com/expert/ep47/461728_2EA49.htm
http://mall.cnki.net/magazine/Article/ZKKX201205002.htm
http://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-ZKKX200504016.htm
http://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTotal-ZKZK201002017.htm
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2楼2012-12-29 19:44:39
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xpengpengx

铜虫 (小有名气)
★ ★
wangyong832(金币+1): 谢谢参与
zhaohaixing: 金币+1, 欢迎新虫来功能材料版交流~~ 2013-01-15 09:09:37
非要用反应磁控溅射吗？直接做成氧化物靶材溅射不行吗？
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3楼2012-12-29 20:07:39
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wangyong832

银虫 (著名写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by xpengpengx at 2012-12-29 20:07:39
非要用反应磁控溅射吗？直接做成氧化物靶材溅射不行吗？

从工业应用角度考虑，反应溅射成本是最低的。
  一些三元氧化物半导体，你做成氧化物靶材也解决不了问题，不同元素的溅射产率不同
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4楼2012-12-29 22:13:25
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su-b089楼
2012-12-30 15:03   回复  
wangyong832(金币+1): 谢谢参与
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