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氧化物半导体迁移率低----室温反应磁控溅射
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wangyong832
银虫
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虫号: 551306
[交流]
氧化物半导体迁移率低----室温反应磁控溅射
大家有用过反应磁控溅射在室温下制备氧化物半导体的吗?
室温下溅射的薄膜迁移率太低,都低于Hall系数测试仪的测试极限。提高衬底温度倒是能增加迁移率,但是工业应用没前景啊。
室温共溅射的3元氧化物半导体更是很差,结晶质量太差了。
大家有什么想法 建议 都可以交流
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1楼
2012-12-29 19:14:31
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13楼
2013-01-01 10:25:43
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userhung
禁虫
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wangyong832(金币+1): 谢谢参与
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2012-12-29 22:58:32
http://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-ZKKX201205002.htm
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http://www.doc88.com/p-903594081152.html
http://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTotal-BDTJ201202010.htm
http://www.chemyq.com/expert/ep47/461728_2EA49.htm
http://mall.cnki.net/magazine/Article/ZKKX201205002.htm
http://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-ZKKX200504016.htm
http://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTotal-ZKZK201002017.htm
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2楼
2012-12-29 19:44:39
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xpengpengx
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wangyong832(金币+1): 谢谢参与
zhaohaixing: 金币+1, 欢迎新虫来功能材料版交流~~
2013-01-15 09:09:37
非要用反应磁控溅射吗?直接做成氧化物靶材溅射不行吗?
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3楼
2012-12-29 20:07:39
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wangyong832
银虫
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3楼
:
Originally posted by
xpengpengx
at 2012-12-29 20:07:39
非要用反应磁控溅射吗?直接做成氧化物靶材溅射不行吗?
从工业应用角度考虑,反应溅射成本是最低的。
一些三元氧化物半导体,你做成氧化物靶材也解决不了问题,不同元素的溅射产率不同
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4楼
2012-12-29 22:13:25
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su-b08
9楼
2012-12-30 15:03
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