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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 交流互助 » 直流脉冲磁控溅射镀硅膜阳极掉渣严重
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nmliuhai

铜虫 (小有名气)

[求助] 直流脉冲磁控溅射镀硅膜阳极掉渣严重 已有1人参与

各位虫友，我最近用脉冲直流磁控溅射在玻璃基片上镀硅膜。靶悬挂在真空室上方，基片放在靶正下方。实验中, 本底真空为2*10^4 pa，Ar：1000 sccm, 功率为7kw，最后硅膜的厚度为20微米。不知为什么在镀的过程中，靶阳极上镀上的硅会发生脱落，落在基片上，在硅膜上产生了很多的坑。大家以前做的时候遇到过这种情况吗？怎么才能有效的避免阳极上镀上的硅不发生脱落？谢谢大家帮忙
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1楼 2012-12-28 23:36:24
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
12楼: Originally posted by nmliuhai at 2012-12-30 17:20:35
这个应该不行，主要以后要往大的件上镀...

那只能考虑换设备了，你那个设备不适合镀厚膜。
你的片子最后希望多大？
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14楼2012-12-31 15:49:24
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xjtu-sunhl

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与，应助指数 +1
nmliuhai: 金币+1, ★有帮助 2012-12-30 17:23:00
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-12-30 21:22:54
"靶阳极上镀上的硅会发生脱落", 不是用的纯Sii靶吗？

一般都是靶在下方，基片在上方的磁控溅射镀膜机，你的这种比较少见，你可以用别人的机子镀膜试试。
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2楼2012-12-29 09:13:11
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sunwinner

金虫 (正式写手)
接楼上，LZ再提供一些镀膜机和电源的说明
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3楼2012-12-29 13:13:25
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nmliuhai

铜虫 (小有名气)
镀膜机采用的是靶在真空室上方，基片置于靶下方。靶是矩形平面靶，靶面是向下的。我查了查大概是说 ‘平面靶较易形成的再沉积区，这些被污染的靶面，极易产生掉渣然后落到玻璃基板上。同样这些地方很容易产生打弧，打弧又造成了更多掉渣和大颗粒的形成。’  感觉我们在镀膜的时候，沉积在阳极上的硅及靶面的再沉积区都会引起掉渣，不知道有没有什么办法可以减少这种掉渣。

镀膜示意图.jpg



条形靶.jpg
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4楼2012-12-29 21:24:58
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