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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 晶体 » 基础理论 » InP晶体生长中的空洞问题（见图）
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bjcrystal

铜虫 (小有名气)

[交流] InP晶体生长中的空洞问题（见图）

在生长InP晶体时，尾部切开后出现较大空洞，大家谈谈出现这种空洞的原因。

先谈我的分析，InP在熔点（1062℃）时的饱和蒸汽压为27.5atm，因为空洞内无富铟，可以排除由于红磷分压过低，引起组分中的红磷溢出而形成空位导致空洞的形成。空洞内有红磷浮着，是所加的过量的红磷，降温为附着在空洞上，图片中看不到是因为已经被洗掉了。
再者，有没有可能是因为生长时，尾部温度过高，而降温时速率太快，液封剂两边温度差较大，导致有压力差，进而红磷气体进入熔体当中，当结晶时形成空洞，而后红磷附着在洞壁上。

以上是我所想到的，大家谈谈您的看法吧。但愿高手出现能有一个较好的解释。

121.jpg
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1楼 2012-12-28 14:06:27
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文刀玉口

金虫 (正式写手)
楼主是采用什么工艺长的 InP ingot的，是VGF吗？
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7楼2012-12-28 20:53:26
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readytogo

荣誉版主 (文学泰斗)
★
bjcrystal(金币+1): 谢谢参与
要是密闭空间还行啊，对这东西很好奇
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3楼2012-12-28 15:04:40
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文刀玉口

金虫 (正式写手)
★
bjcrystal(金币+1): 谢谢参与
楼主是采用什么工艺长的InP ingot ,是VGF吗？
赞一下 回复此楼
6楼2012-12-28 20:51:02
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