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[交流]
InP晶体生长中的空洞问题（见图）
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在生长InP晶体时，尾部切开后出现较大空洞，大家谈谈出现这种空洞的原因。 先谈我的分析，InP在熔点（1062℃）时的饱和蒸汽压为27.5atm，因为空洞内无富铟，可以排除由于红磷分压过低，引起组分中的红磷溢出而形成空位导致空洞的形成。空洞内有红磷浮着，是所加的过量的红磷，降温为附着在空洞上，图片中看不到是因为已经被洗掉了。 再者，有没有可能是因为生长时，尾部温度过高，而降温时速率太快，液封剂两边温度差较大，导致有压力差，进而红磷气体进入熔体当中，当结晶时形成空洞，而后红磷附着在洞壁上。 以上是我所想到的，大家谈谈您的看法吧。但愿高手出现能有一个较好的解释。  121.jpg |
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