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bjcrystal

铜虫 (小有名气)


[交流] InP晶体生长中的空洞问题(见图)

在生长InP晶体时,尾部切开后出现较大空洞,大家谈谈出现这种空洞的原因。

先谈我的分析,InP在熔点(1062℃)时的饱和蒸汽压为27.5atm,因为空洞内无富铟,可以排除由于红磷分压过低,引起组分中的红磷溢出而形成空位导致空洞的形成。空洞内有红磷浮着,是所加的过量的红磷,降温为附着在空洞上,图片中看不到是因为已经被洗掉了。
再者,有没有可能是因为生长时,尾部温度过高,而降温时速率太快,液封剂两边温度差较大,导致有压力差,进而红磷气体进入熔体当中,当结晶时形成空洞,而后红磷附着在洞壁上。

以上是我所想到的,大家谈谈您的看法吧。但愿高手出现能有一个较好的解释。

121.jpg
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bjcrystal(金币+1): 谢谢参与
要是密闭空间还行啊,对这东西很好奇
3楼2012-12-28 15:04:40
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文刀玉口

金虫 (正式写手)



bjcrystal(金币+1): 谢谢参与
楼主是采用什么工艺长的InP ingot ,是VGF吗?
6楼2012-12-28 20:51:02
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文刀玉口

金虫 (正式写手)


楼主是采用什么工艺长的 InP ingot的,是VGF吗?
7楼2012-12-28 20:53:26
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