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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 设计与制备 » 如何在溅射仪中引入水蒸气
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floljf

金虫 (正式写手)

[交流] 如何在溅射仪中引入水蒸气

诸位大虾，目前在材料的制备中需要引入H源，大家帮忙给些意见！

目前我是准备在溅射仪中引入水蒸汽，如何实现？水蒸汽的引入对后续设备的真空度的影响如何？有经验的大虾帮忙！

金币多多，发完了后续补充，请多多给建议！
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1楼 2012-11-01 09:13:53
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bazhuayuyu

木虫 (著名写手)
★ ★
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floljf: 金币+1 2012-11-01 12:11:48
为什么不用氢气？
只是做氢源的话不需要用水蒸气啊
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3楼2012-11-01 10:16:56
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forest_wong

金虫 (正式写手)
★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
floljf: 金币+1 2012-11-01 12:12:51
我是新手，但听说这样好像对真空设备的破坏比较大。泵也不太适应蒸气
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4楼2012-11-01 11:06:09
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floljf

金虫 (正式写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by bazhuayuyu at 2012-11-01 10:16:56
为什么不用氢气？
只是做氢源的话不需要用水蒸气啊

H2存在一定的危险性啊，不怕一万就怕万一，所以考虑用水蒸气了
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5楼2012-11-01 12:12:26
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floljf

金虫 (正式写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by forest_wong at 2012-11-01 11:06:09
我是新手，但听说这样好像对真空设备的破坏比较大。泵也不太适应蒸气

你说的破坏体现在哪里呢？
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6楼2012-11-01 12:12:48
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yswyx

专家顾问 (著名写手)
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
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floljf: 金币+5 2012-11-01 16:45:14
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流，可否在详细点呢，我可以给FPI的。 2012-11-02 07:57:12
千万别！你会把设备搞得一团遭的。
除非你能保证进入腔体的水蒸气不在腔体内冷凝，同时在工艺结束后能彻底抽走。这就意味着，你要保持腔体和外围零备件的温度，同时要保证管道都是热的。
另一方面，水蒸气的腐蚀性还是挺厉害的，你要确认你的设备能抗得住。而且，越热的水蒸气腐蚀性越强。
为什么不考虑用烷类呢？成为plasma后都是H啊。
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7楼2012-11-01 16:00:09
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floljf

金虫 (正式写手)
引用回帖:
7楼: Originally posted by yswyx at 2012-11-01 16:00:09
千万别！你会把设备搞得一团遭的。
除非你能保证进入腔体的水蒸气不在腔体内冷凝，同时在工艺结束后能彻底抽走。这就意味着，你要保持腔体和外围零备件的温度，同时要保证管道都是热的。
另一方面，水蒸气的腐蚀性 ...

我也是看了外文的paper后有了此疑问，所以过来请教，感谢指教！

我也纳闷的是他们为何要引入水蒸气？以及是如何引入的？发了邮件也没有回！

烷类还有其他的元素的，譬如C，也还不清楚有什么影响。
此外也不清楚水蒸气的等离子体成份。
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8楼2012-11-01 16:49:14
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floljf

金虫 (正式写手)
引用回帖:
7楼: Originally posted by yswyx at 2012-11-01 16:00:09
千万别！你会把设备搞得一团遭的。
除非你能保证进入腔体的水蒸气不在腔体内冷凝，同时在工艺结束后能彻底抽走。这就意味着，你要保持腔体和外围零备件的温度，同时要保证管道都是热的。
另一方面，水蒸气的腐蚀性 ...

你是做什么方向的？你所说的这些问题，可否提供一些出处？
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9楼2012-11-01 16:50:42
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yswyx

专家顾问 (著名写手)
★ ★ ★
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floljf: 金币+2 2012-11-02 08:34:40
引用回帖:
9楼: Originally posted by floljf at 2012-11-01 16:50:42
你是做什么方向的？你所说的这些问题，可否提供一些出处？...

我做的方向很杂，而这一部分是包含在我做设备的部分里的。
你可以看一些关于ALD的资料，ALD里面的反映气最基本的就是水。但是ALD里面的腔体材料和sputter是不一样的。
在不了解设备的情况下改设备是很危险的。
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10楼2012-11-01 18:16:04
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bazhuayuyu

木虫 (著名写手)
★
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你要做什么薄膜？帮你想想别的气源
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11楼2012-11-01 20:32:33
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floljf

金虫 (正式写手)
引用回帖:
10楼: Originally posted by yswyx at 2012-11-01 18:16:04
我做的方向很杂，而这一部分是包含在我做设备的部分里的。
你可以看一些关于ALD的资料，ALD里面的反映气最基本的就是水。但是ALD里面的腔体材料和sputter是不一样的。
在不了解设备的情况下改设备是很危险的。...

这个可能也是的，有用MOCVD做ZnO的，氧源采用的就是水蒸汽，不知道是不是他们的设备腔体材料是否是特殊的呢
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12楼2012-11-02 08:36:27
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bazhuayuyu

木虫 (著名写手)
★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
floljf: 金币+1 2012-11-02 20:15:15
引用回帖:
12楼: Originally posted by floljf at 2012-11-02 08:36:27
这个可能也是的，有用MOCVD做ZnO的，氧源采用的就是水蒸汽，不知道是不是他们的设备腔体材料是否是特殊的呢...

CVD与PVD差别很大，不能这样类比。ALD其实就是把CVD的反应在空间或时间上分割成两个半反应而已，归根到底还是CVD
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13楼2012-11-02 09:32:45
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ddx-k

荣誉版主 (著名写手)
★ ★ ★
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floljf: 金币+2 2012-11-02 20:10:49
用个鼓泡器，用N气携源就可以了
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14楼2012-11-02 09:32:59
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floljf

金虫 (正式写手)
引用回帖:
11楼: Originally posted by bazhuayuyu at 2012-11-01 20:32:33
你要做什么薄膜？帮你想想别的气源

氧化锡薄膜
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15楼2012-11-02 20:14:44
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bazhuayuyu

木虫 (著名写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
15楼: Originally posted by floljf at 2012-11-02 20:14:44
氧化锡薄膜...

你用的是陶瓷靶还是金属靶
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16楼2012-11-02 20:44:29
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floljf

金虫 (正式写手)
引用回帖:
16楼: Originally posted by bazhuayuyu at 2012-11-02 20:44:29
你用的是陶瓷靶还是金属靶...

陶瓷靶，用金属靶必须要引入氧气。

不过，话说这种在溅射里面引入氧气和氢气的，危险性到底有多大？
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17楼2012-11-03 08:06:09
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wasxnbe2楼
2012-11-01 09:32   回复  
ppan2218楼
2013-02-01 17:32   回复  
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