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floljf

金虫 (正式写手)


[交流] 如何在溅射仪中引入水蒸气

诸位大虾,目前在材料的制备中需要引入H源,大家帮忙给些意见!

目前我是准备在溅射仪中引入水蒸汽,如何实现?水蒸汽的引入对后续设备的真空度的影响如何?有经验的大虾帮忙!

金币多多,发完了后续补充,请多多给建议!
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bazhuayuyu

木虫 (著名写手)


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floljf: 金币+1 2012-11-01 12:11:48
为什么不用氢气?
只是做氢源的话不需要用水蒸气啊
3楼2012-11-01 10:16:56
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forest_wong

金虫 (正式写手)


★ ★
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floljf: 金币+1 2012-11-01 12:12:51
我是新手,但听说这样好像对真空设备的破坏比较大。泵也不太适应蒸气
4楼2012-11-01 11:06:09
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floljf

金虫 (正式写手)


引用回帖:
3楼: Originally posted by bazhuayuyu at 2012-11-01 10:16:56
为什么不用氢气?
只是做氢源的话不需要用水蒸气啊

H2存在一定的危险性啊,不怕一万就怕万一,所以考虑用水蒸气了
5楼2012-11-01 12:12:26
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floljf

金虫 (正式写手)


引用回帖:
4楼: Originally posted by forest_wong at 2012-11-01 11:06:09
我是新手,但听说这样好像对真空设备的破坏比较大。泵也不太适应蒸气

你说的破坏体现在哪里呢?
6楼2012-11-01 12:12:48
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★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
floljf: 金币+5 2012-11-01 16:45:14
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流,可否在详细点呢,我可以给FPI的。 2012-11-02 07:57:12
千万别!你会把设备搞得一团遭的。
除非你能保证进入腔体的水蒸气不在腔体内冷凝,同时在工艺结束后能彻底抽走。这就意味着,你要保持腔体和外围零备件的温度,同时要保证管道都是热的。
另一方面,水蒸气的腐蚀性还是挺厉害的,你要确认你的设备能抗得住。而且,越热的水蒸气腐蚀性越强。
为什么不考虑用烷类呢?成为plasma后都是H啊。
7楼2012-11-01 16:00:09
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floljf

金虫 (正式写手)


引用回帖:
7楼: Originally posted by yswyx at 2012-11-01 16:00:09
千万别!你会把设备搞得一团遭的。
除非你能保证进入腔体的水蒸气不在腔体内冷凝,同时在工艺结束后能彻底抽走。这就意味着,你要保持腔体和外围零备件的温度,同时要保证管道都是热的。
另一方面,水蒸气的腐蚀性 ...

我也是看了外文的paper后有了此疑问,所以过来请教,感谢指教!

我也纳闷的是他们为何要引入水蒸气?以及是如何引入的?发了邮件也没有回!

烷类还有其他的元素的,譬如C,也还不清楚有什么影响。
此外也不清楚水蒸气的等离子体成份。
8楼2012-11-01 16:49:14
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floljf

金虫 (正式写手)


引用回帖:
7楼: Originally posted by yswyx at 2012-11-01 16:00:09
千万别!你会把设备搞得一团遭的。
除非你能保证进入腔体的水蒸气不在腔体内冷凝,同时在工艺结束后能彻底抽走。这就意味着,你要保持腔体和外围零备件的温度,同时要保证管道都是热的。
另一方面,水蒸气的腐蚀性 ...

你是做什么方向的?你所说的这些问题,可否提供一些出处?
9楼2012-11-01 16:50:42
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floljf: 金币+2 2012-11-02 08:34:40
引用回帖:
9楼: Originally posted by floljf at 2012-11-01 16:50:42
你是做什么方向的?你所说的这些问题,可否提供一些出处?...

我做的方向很杂,而这一部分是包含在我做设备的部分里的。
你可以看一些关于ALD的资料,ALD里面的反映气最基本的就是水。但是ALD里面的腔体材料和sputter是不一样的。
在不了解设备的情况下改设备是很危险的。
10楼2012-11-01 18:16:04
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bazhuayuyu

木虫 (著名写手)



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你要做什么薄膜?帮你想想别的气源
11楼2012-11-01 20:32:33
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floljf

金虫 (正式写手)


引用回帖:
10楼: Originally posted by yswyx at 2012-11-01 18:16:04
我做的方向很杂,而这一部分是包含在我做设备的部分里的。
你可以看一些关于ALD的资料,ALD里面的反映气最基本的就是水。但是ALD里面的腔体材料和sputter是不一样的。
在不了解设备的情况下改设备是很危险的。...

这个可能也是的,有用MOCVD做ZnO的,氧源采用的就是水蒸汽,不知道是不是他们的设备腔体材料是否是特殊的呢
12楼2012-11-02 08:36:27
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bazhuayuyu

木虫 (著名写手)


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floljf: 金币+1 2012-11-02 20:15:15
引用回帖:
12楼: Originally posted by floljf at 2012-11-02 08:36:27
这个可能也是的,有用MOCVD做ZnO的,氧源采用的就是水蒸汽,不知道是不是他们的设备腔体材料是否是特殊的呢...

CVD与PVD差别很大,不能这样类比。ALD其实就是把CVD的反应在空间或时间上分割成两个半反应而已,归根到底还是CVD
13楼2012-11-02 09:32:45
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ddx-k

荣誉版主 (著名写手)


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floljf: 金币+2 2012-11-02 20:10:49
用个鼓泡器,用N气携源就可以了
14楼2012-11-02 09:32:59
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floljf

金虫 (正式写手)


引用回帖:
11楼: Originally posted by bazhuayuyu at 2012-11-01 20:32:33
你要做什么薄膜?帮你想想别的气源

氧化锡薄膜
15楼2012-11-02 20:14:44
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bazhuayuyu

木虫 (著名写手)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
15楼: Originally posted by floljf at 2012-11-02 20:14:44
氧化锡薄膜...

你用的是陶瓷靶还是金属靶
16楼2012-11-02 20:44:29
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floljf

金虫 (正式写手)


引用回帖:
16楼: Originally posted by bazhuayuyu at 2012-11-02 20:44:29
你用的是陶瓷靶还是金属靶...

陶瓷靶,用金属靶必须要引入氧气。

不过,话说这种在溅射里面引入氧气和氢气的,危险性到底有多大?
17楼2012-11-03 08:06:09
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wasxnbe2楼
2012-11-01 09:32   回复  
ppan2218楼
2013-02-01 17:32   回复  
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