| 查看: 5096 | 回复: 9 | ||||
[交流]
费米能级拉平-PN结
|
||||
|
太阳电池中P型和N型半导体接触会使费米能级拉平，然后耗尽层，然后能带弯曲，为什么真空能级也发生弯曲？ PN结的能带图中拉平的费米能级全部贯穿P，结区和N，是什么使其拉平的？  pn.jpg |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 专利相关 |
» 猜你喜欢
自然科学基金委宣布启动申请书“瘦身提质”行动
已经有4人回复
-
投稿Elsevier的杂志（返修），总是在选择OA和subscription界面被踢皮球
已经有6人回复
-
中科院杭州医学所招收博士生一名（生物分析化学、药物递送）
已经有4人回复
-
求个博导看看
已经有18人回复
-
自荐读博
已经有6人回复
-
青基代表作，AAAI之类的A会的special track在国内认可度高吗？还是归为workshop之流？
已经有3人回复
-
上海工程技术大学【激光智能制造】课题组招收硕士
已经有6人回复
-
上海工程技术大学张培磊教授团队招收博士生
已经有4人回复
-
临港实验室与上科大联培博士招生1名
已经有9人回复
» 抢金币啦！回帖就可以得到:
-
上海交通大学医学院王戈林课题组招聘博士后和助理研究员
+1/279
-
江汉大学招聘AI for Materials/电解液/锂金属/全固态电池等方面的博士或者博士后
+1/181
-
中国科学院大学纳米科学与工程学院唐智勇（院长）-张银团队招聘启事
+1/178
-
成都理工大学全国重点实验室公开诚聘绿色有机合成方向联培生及科研助理
+1/80
-
昆明理工大学冶能院离子液体冶金课题组招收博士
+1/65
-
香港理工大学-应用生物与化学科技学系 招收2025年博士研究生
+2/62
-
坐标北京不异地
+1/59
-
坐标上海，93年诚征女友
+1/56
-
有南京的小伙伴吗，蹲个男朋友
+1/46
-
中国科学院深海所 招收2026秋入学博士生1名 申请-考核制
+1/44
-
浙江师范大学申利国教授招聘博士后研究人员
+1/44
-
华中科技大学龚江研究员课题组诚招博士研究生、科研助理和博士后
+2/42
-
西南交通大学前沿院碳中和与物质循环利用课题组招收博士生
+1/29
-
博士/硕士招生
+1/11
-
上海大学昝鹏教授、军事医学研究院伯晓晨研究员/倪铭副研究员 课题组招聘博士生
+2/10
-
【博士后/科研助理招聘-北京理工大学-集成电路与电子学院-国家杰青团队】
+1/9
-
操作说明书：Thermo Delta Q 稳定同位素比质谱仪IRMS
+1/8
-
操作说明书：Thermo Delta Q 稳定同位素比质谱仪IRMS
+1/8
-
2026年中科院化学所优青 程靓团队招收有机化学、生物化学背景的博士研究生
+1/8
-
211 院校 化学工程与技术 双一流学科 学术型博士研究生 尚有名额
+1/3
★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
upchjf: 金币+2 2012-10-31 15:37:02
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
upchjf: 金币+2 2012-10-31 15:37:02
|
必须平啊，如果不平的话，载流子就可以一直不断的流动了，直接接根导线就有电流了，永动机就出来了！这显然不符合能量守恒啊。就像大坝两侧，一边水多（电子多的N区），一边水少/空气多（空穴多的P区）。大坝泄洪了（PN两侧接触了），水肯定就出来了啊。如果这个大坝在一个巨大的坑里，那么最终肯定就变成一个湖了。你说湖面是不是平的？精炼一句总结：能量守恒。 至于真空能级，书上这样话，应该是出于对功函数、电子亲和能这些概念更直观的表现。真空能级是恒定的。 [ Last edited by SCU_magiclee on 2012-10-31 at 13:04 ] |
3楼2012-10-31 12:53:40
4楼2012-10-31 13:04:57
5楼2012-10-31 15:36:35
6楼2012-11-01 09:04:37
7楼2012-11-02 09:46:05
8楼2013-08-23 16:27:21
9楼2013-10-09 15:11:29
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
|
我觉的可以这么理解，把PN结看作一个整体，N区的电子如果出现在P区，就得克服耗尽区的电场，就得具有比N区更高的能量才行，所以P区的能级相对于N区就被整体抬高了。 N区的费米能级与参杂浓度有关，形成PN结后，除了耗尽区外，其它地方的电子浓度没有变化，所以 费米能及相对于价带和导带的位置不变，不论是否和P型半导体形成PN结。同理，P区的费米能级的相对位置在形成PN结前后亦不变。如昨天图，N型半导体材料和P型接触后，在接触面上同一点的右边，处于N型半导体费米能及的下方，（单看N区，电子出现的概率较高，大于1/2），在该点的左边，处于P型半导体费米能级的上方，（单看P区，电子出现的概率较小，小于1/2），由于这个概率差，电子由N区流向P区，随电子流动，建立了一个由N指向P的内建电场，阻止电子流动，其结果是P区的能级相对于N区被整体提升（P区和N区视为一个整体，P区同一地方出现电子的概率降低，不论是自己激发的，还是从N区过来的），如上一段所说。那么二者费米能级就逐渐靠近，此时再看分界面上同一点的两侧（N区P区单独来看），由于费米能级逐渐靠近，其电子出现的概率差就逐渐减小，直至为零，电子不在流动（动态平衡），那么费米能级就处于同一水平了。本征费米能级在禁带中间，不因参杂的不同而改变。分别对于N区P区来说，相对位置是不变的，在导带和价带的中间，所以在计算的时候可以将其做为参照点（因为它的相对位置不变，算P区能带的提升量可以做为参照）。 总上上一段及上一段所述，P型半导体和N型半导体形成PN结后，能带的变化是P区能带被整体提升，直至P区费米能级与N区处于同一水平。 |
10楼2013-10-18 01:01:24
简单回复
yxu19862楼
2012-10-30 17:05
回复
