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[交流]
计算缺陷形成能时的几个问题
我使用Phys. Rev. B 54, 16676–16682 (1996)中的方法来计算缺陷形成能,具体公式如下
![]()
Etot就是含缺陷超胞总能,q是缺陷价态,主要问题有两个:
1)化学势的计算。作者使用下式计算化学势
![]()
并假设所有化学势都是基于Ga-rich condition而得出(原文:We present all our results in Ga-rich (Al-rich for AlN conditions), which are typical of the growth of the two nitrides.),但是这里的ubulk是不是直接采用超胞计算出的总能除以超胞中GaN分子数目得到单个分子的能量?
2)式中ue指的是电子化学势,费米能级和价带之间的距离(原文:the Fermi-level position in the gap relative to the valence band),Ev是价带顶,但是很多过渡金属氮化物费米能级和价带相切或相交(CASTEP把费米能级移到0eV),然后ue或Ev就有可能直接取0?根据作者的叙述,这一项对宽禁带化合物还是非常重要的。
[ Last edited by yourne on 2012-10-26 at 21:36 ] |
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