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关于缺陷形成能的几个问题求助
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请问各位高手，本人想计算某种体系掺杂后的缺陷形成能，掺杂的方式是用一个原子取代另一个原子，电荷补偿用空位（去掉某个原子代替）来补偿，那么这种体系还可以利用类似下面的公式计算么？其中 E（Ag: ZnO）表示掺杂后体系的能量，E（ZnO）表示未掺杂时的能量，Δn表示相应的原子个数，μ表示相应单个原子的化学势。还请各位高手解答，谢谢！（公式出自Structural, Electronic, and Optical Properties of Ag-Doped ZnONanowires: First Principles Study J. Phys. Chem. C2011, 115, 3552–3557） 形成能计算公式 Ef =E（Ag: ZnO）-E（ZnO）+ΔnZnμZn+ΔnOμO-ΔnAgμAg |
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