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计算缺陷形成能时的几个问题
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我使用Phys. Rev. B 54, 16676–16682 (1996)中的方法来计算缺陷形成能，具体公式如下 Etot就是含缺陷超胞总能，q是缺陷价态，主要问题有两个： 1）化学势的计算。作者使用下式计算化学势  并假设所有化学势都是基于Ga-rich condition而得出(原文：We present all our results in Ga-rich (Al-rich for AlN conditions), which are typical of the growth of the two nitrides.)，但是这里的ubulk是不是直接采用超胞计算出的总能除以超胞中GaN分子数目得到单个分子的能量？ 2）式中ue指的是电子化学势，费米能级和价带之间的距离（原文：the Fermi-level position in the gap relative to the valence band），Ev是价带顶，但是很多过渡金属氮化物费米能级和价带相切或相交（CASTEP把费米能级移到0eV），然后ue或Ev就有可能直接取0？根据作者的叙述，这一项对宽禁带化合物还是非常重要的。 [ Last edited by yourne on 2012-10-26 at 21:36 ] |
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Wei, S.-H. (2004). "Overcoming the doping bottleneck in semiconductors." Computational Materials Science (30); p. 337. Yanfa Yan and S.-H. Wei, Doping asymmetry in wide-bandgap semiconductors: Origins and solutions, Phys. Stat. Sol. (b) 245, 641–652 (2008). |
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