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[求助]
EBL光刻胶
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| 电子束刻蚀用的光刻胶除了PMMA还有那些啊，尤其灵敏度比PMMA高的 都有哪些啊，他们的灵敏度都为多少啊？大家谁知道，谢谢了~ |
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 薄膜材料和器件表征 | 薄膜材料和器件制备 | 实验们 |
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yswyx 
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【答案】应助回帖
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感谢参与，应助指数 +1
郭凤杰: 金币+20, ★★★★★最佳答案 2012-09-22 10:26:45
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郭凤杰: 金币+20, ★★★★★最佳答案 2012-09-22 10:26:45
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UVIII是shipley很老的光刻胶了，是0.35~0.18um时代的光刻胶，本身分辨率很受限制，当年我用的时候从来没突破过0.2um，在我眼中是很烂的EBL光刻胶，因为它本身就是光学胶。 除了PMMA之外，主要的电子束光刻胶有以下几种： ZEP520：电子束正胶，做到50nm问题不大，抗刻蚀性能好，剂量高，工艺窗口较大。缺点是很难买，没有小包装。 SAL601：电子束负胶，分辨率很好，也是当年最喜欢用的胶，抗刻蚀性能好，剂量低，工艺窗口较小，工艺适应性好。缺点同样是很难买，没小包装。 HSQ：算是无机胶，分辨率极好，其他性能一般。也属于很难买的胶，有小包装。 不知道楼主说的灵敏度具体是指什么？感光的最小剂量？那么这几个都比PMMA好，SAL601最好。数据因为十多年了记不得了，你查查文献吧。 反正这些胶都是很贵，比光学胶的价格要贵几十倍。我这儿有渠道分装，大家不用买大瓶的，需要就联系我就是了。 |
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郭凤杰3楼2012-09-21 18:05:06
quanten
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4楼2012-09-21 18:34:08
lichi008
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2楼2012-09-21 17:42:05
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【答案】应助回帖
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PMMA的灵敏度是最差的了，没见过比PMMA灵敏度还差的。具体数据是一点儿都不记得了，毕竟十多年了。其他我说的那几种都挺不错。 我不是很明白你说的相同时间内减轻曝光的程度。我想知道你所谓的相同时间是指电子束扫过硅片表面的时间？还是指片子整体加工的时间？减轻曝光程度是指曝光的剂量？ 因为不知道你的基础是什么样的，所以有点儿不知道该怎么说，写帖子效率太低了，我先试试，如果还是感觉沟通不清楚，咱们可以QQ聊。 电子束光刻中参数设定中有影响的有以下几个 加速电压：比如50KV 电流密度：比如几个nA 束斑尺寸：一般几十纳米到几纳米，很难测量，一遍电流密度调的越小，束斑尺寸越小。 剂量：uC/cm2 一般我们做细线条，就是把电流调最小，束斑调最圆，然后设定个剂量，就搞定了。你所谓的减轻曝光的程度，是不是说，减少曝光的剂量？其他不变？如果这样的话，胶可能就曝不透，显影显不开，光学显微镜下，线条之间是黑的。 如果你说的是减小电子的加速电压，那么就意味着光刻胶中电子的前散射和背散射发生变化，散射斑变大，曝光出来的线条变粗。如果继续降低，最终背散射影响忽略不计，前散射变化不大，曝光出来的线条变细。 其实这些东西几十年前的论文就讲的挺清楚的了。有本书叫handbook of lithography，或者事handbook of microlithography，其中第二章我记得讲的是电子束光刻，几年前在google book上看到这章是free的。你可以上去翻翻，google的后缀把cn改成de之类的能快点儿全点儿。如果找不到，我记得科图和国图好像各有一本，可以复印。还有一本是principle of lithogprahy，也讲的挺透的。有这两本书，基本的光刻的理论就不差啥了。 你要是觉得有疑问就加我QQ，写帖子太累，老了  |
6楼2012-09-21 20:21:57
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8楼2012-09-21 20:34:01
9楼2012-09-22 09:00:16
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10楼2012-09-22 22:53:02
