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郭凤杰

铜虫 (初入文坛)

[求助] EBL光刻胶

电子束刻蚀用的光刻胶除了PMMA还有那些啊,尤其灵敏度比PMMA高的 都有哪些啊,他们的灵敏度都为多少啊?大家谁知道,谢谢了~
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yswyx

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郭凤杰: 金币+20, ★★★★★最佳答案 2012-09-22 10:26:45
UVIII是shipley很老的光刻胶了,是0.35~0.18um时代的光刻胶,本身分辨率很受限制,当年我用的时候从来没突破过0.2um,在我眼中是很烂的EBL光刻胶,因为它本身就是光学胶。

除了PMMA之外,主要的电子束光刻胶有以下几种:
ZEP520:电子束正胶,做到50nm问题不大,抗刻蚀性能好,剂量高,工艺窗口较大。缺点是很难买,没有小包装。
SAL601:电子束负胶,分辨率很好,也是当年最喜欢用的胶,抗刻蚀性能好,剂量低,工艺窗口较小,工艺适应性好。缺点同样是很难买,没小包装。
HSQ:算是无机胶,分辨率极好,其他性能一般。也属于很难买的胶,有小包装。

不知道楼主说的灵敏度具体是指什么?感光的最小剂量?那么这几个都比PMMA好,SAL601最好。数据因为十多年了记不得了,你查查文献吧。

反正这些胶都是很贵,比光学胶的价格要贵几十倍。我这儿有渠道分装,大家不用买大瓶的,需要就联系我就是了。

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3楼2012-09-21 18:05:06
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quanten

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PMMA是很好的负胶,不用寻找更好的胶,即使有更好的胶,你的机器达不到精度也是枉然,具体要做dose test, 大结构和小结构用不同的dose,ZEP也可以尝试,HSQ是正胶,这三种胶做到50nm没有问题,如果做不到,就要做dose test,优化工艺
楼上比较在行,不过SAL胶好像精度比较低,做掩模板会用到,不知道我说的是不是准确,欢迎指正
4楼2012-09-21 18:34:08
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lichi008

木虫 (小有名气)

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UVIII 超级灵敏 比PMMA灵敏很多倍 具体灵敏度不太清楚 需要查询
2楼2012-09-21 17:42:05
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郭凤杰

铜虫 (初入文坛)

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引用回帖:
3楼: Originally posted by yswyx at 2012-09-21 18:05:06
UVIII是shipley很老的光刻胶了,是0.35~0.18um时代的光刻胶,本身分辨率很受限制,当年我用的时候从来没突破过0.2um,在我眼中是很烂的EBL光刻胶,因为它本身就是光学胶。

除了PMMA之外,主要的电子束光刻胶有以 ...

谢谢您的帮助,我说的灵敏度就是表明抗蚀剂对高能粒子作用反应的敏感程度,一般以微库每平方厘米为单位,数值越小灵敏度越高。应该就是你说的感光剂量。我具体就是想了解一下做电子束刻蚀除了PMMA,还可以用那些光刻胶(电子束抗蚀剂),他们的灵敏度与PMMA比较如何,重点是有哪些是比PMMA灵敏度数值大 (也就是灵敏度低(标题上描述可能有误),我想在相同的时间内减轻曝光的程度),如果选用后对电子束刻蚀工艺有什么影响,如果您对这方面比较了解的话谢谢指导了,非常感谢!~
5楼2012-09-21 19:12:32
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yswyx

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PMMA的灵敏度是最差的了,没见过比PMMA灵敏度还差的。具体数据是一点儿都不记得了,毕竟十多年了。其他我说的那几种都挺不错。

我不是很明白你说的相同时间内减轻曝光的程度。我想知道你所谓的相同时间是指电子束扫过硅片表面的时间?还是指片子整体加工的时间?减轻曝光程度是指曝光的剂量?

因为不知道你的基础是什么样的,所以有点儿不知道该怎么说,写帖子效率太低了,我先试试,如果还是感觉沟通不清楚,咱们可以QQ聊。

电子束光刻中参数设定中有影响的有以下几个
加速电压:比如50KV
电流密度:比如几个nA
束斑尺寸:一般几十纳米到几纳米,很难测量,一遍电流密度调的越小,束斑尺寸越小。
剂量:uC/cm2

一般我们做细线条,就是把电流调最小,束斑调最圆,然后设定个剂量,就搞定了。你所谓的减轻曝光的程度,是不是说,减少曝光的剂量?其他不变?如果这样的话,胶可能就曝不透,显影显不开,光学显微镜下,线条之间是黑的。

如果你说的是减小电子的加速电压,那么就意味着光刻胶中电子的前散射和背散射发生变化,散射斑变大,曝光出来的线条变粗。如果继续降低,最终背散射影响忽略不计,前散射变化不大,曝光出来的线条变细。

其实这些东西几十年前的论文就讲的挺清楚的了。有本书叫handbook of lithography,或者事handbook of microlithography,其中第二章我记得讲的是电子束光刻,几年前在google book上看到这章是free的。你可以上去翻翻,google的后缀把cn改成de之类的能快点儿全点儿。如果找不到,我记得科图和国图好像各有一本,可以复印。还有一本是principle of lithogprahy,也讲的挺透的。有这两本书,基本的光刻的理论就不差啥了。

你要是觉得有疑问就加我QQ,写帖子太累,老了
6楼2012-09-21 20:21:57
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yswyx

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如果你的目的是找一种胶,让曝光时间降下来,那么我举例的几种都可以(要看正负形)。
7楼2012-09-21 20:23:36
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yswyx

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引用回帖:
4楼: Originally posted by quanten at 2012-09-21 18:34:08
PMMA是很好的负胶,不用寻找更好的胶,即使有更好的胶,你的机器达不到精度也是枉然,具体要做dose test, 大结构和小结构用不同的dose,ZEP也可以尝试,HSQ是正胶,这三种胶做到50nm没有问题,如果做不到,就要做d ...

Dose Test的确很重要,要注意dose test的时效性。所以做电子束光刻的人很悲催,优化工艺万万年。

说点不同的,
PMMA不好,抗刻蚀性能差,做器件很烂。
大小结构用不同的dose,这是最简单的临近效应矫正方法,有没有效要看图形的尺寸和分布。如果无效的话,还是要用软件做图形矫正设定阶梯剂量做的。我碰到的情况有效的很少,可能因为当年做的大部分都是复杂的电路吧。
SAL胶精度差一点,但是好在它是负胶,曾经用它扣出30nm以下,而且大面积图形也非常完好。

whatever,有人一起讨论电子束的感觉真好
8楼2012-09-21 20:34:01
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郭凤杰

铜虫 (初入文坛)

引用回帖:
6楼: Originally posted by yswyx at 2012-09-21 20:21:57
PMMA的灵敏度是最差的了,没见过比PMMA灵敏度还差的。具体数据是一点儿都不记得了,毕竟十多年了。其他我说的那几种都挺不错。

我不是很明白你说的相同时间内减轻曝光的程度。我想知道你所谓的相同时间是指电子束 ...

谢谢啊,你QQ是多少啊,我是刚刚开始做电子束刻蚀不久,很多地方需要讨教,谢谢!~
9楼2012-09-22 09:00:16
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yswyx

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引用回帖:
9楼: Originally posted by 郭凤杰 at 2012-09-22 09:00:16
谢谢啊,你QQ是多少啊,我是刚刚开始做电子束刻蚀不久,很多地方需要讨教,谢谢!~...

看我签名档
10楼2012-09-22 22:53:02
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